一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法技术
Method for etching silicon hole of 3D gate of image sensor
The invention provides a method of image sensor 3D gate silicon through hole etching, which comprises the following steps: the wafer etching, the etching end point detection of end point monitoring system, large area etching hard mask, and etching end point control; to detect fracture surface etching hard mask etching the wafer through hole area; the total amount of etching the hard mask wafer through hole area calculation, and increase the amount of etching hole area; re hard mask and wafer silicon through hole etching, complete menu development. The method of etching the 3D gate silicon through hole of the image sensor proposed by the invention can accurately control the depth and appearance of the through hole of the silicon, and can guarantee the device characteristics, improve the development efficiency and guarantee the stability of the subsequent mass production.
【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法。
技术介绍
自上世纪60年代末期美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后，固体图像传感器便得到了迅速发展，成为传感技术中的一个重要分支。它是个人计算机多媒体不可缺少的外设，也是监控设备中的核心器件。近年来，由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CIS(CMOSIMAGESENSOR，互补金属氧化物半导体图像传感器)因其固有的诸如像元内放大、列并行结构，集成度高、采用单电源和低电压供电、成本低和技术门槛低等特点得到更广泛地应用。并且，低成本、单芯片、功耗低和设计简单等优点使CIS在保安监视系统、可视电话、可拍照手机、玩具、汽车和医疗电子等低端像素产品领域中大出风头。为保证CIS满阱容量(FWC)的需求，光电二极管的体积特别是深度不断增大。同时，基于高速摄像的要求，又使得信号读取周期不断缩短，这就对光电二极管传输信号的MOS管提出了更高的要求。传统CIS中，光电二极管内所有信号(电子)均由表面沟道传输，新开发的3D栅结构(verticalgate...
【技术保护点】
一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，其特征在于，包括下列步骤：对晶圆刻蚀时，利用终点监控系统，检测大块刻蚀区域硬掩膜的刻蚀终点，并实施刻蚀终点控制；对刻蚀晶圆通孔区域的硬掩膜进行断面形貌刻蚀量检测；进行晶圆通孔区域硬掩膜的总刻蚀量计算，并增加通孔区域的刻蚀量；重新进行晶圆硬掩膜和硅通孔的刻蚀，完成菜单开发。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，其特征在于，包括下列步骤：对晶圆刻蚀时，利用终点监控系统，检测大块刻蚀区域硬掩膜的刻蚀终点，并实施刻蚀终点控制；对刻蚀晶圆通孔区域的硬掩膜进行断面形貌刻蚀量检测；进行晶圆通孔区域硬掩膜的总刻蚀量计算，并增加通孔区域的刻蚀量；重新进行晶圆硬掩膜和硅通孔的刻蚀，完成菜单开发。2.根据权利要求1所述的图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，其特征在于，所述晶圆刻蚀采用干法刻蚀工艺。3.根据权利要求1所述的图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，其特征在于，该方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐在峰，许进，任昱，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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