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本发明提出一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，包括下列步骤：对晶圆刻蚀时，利用终点监控系统，检测大块刻蚀区域硬掩膜的刻蚀终点，并实施刻蚀终点控制；对刻蚀晶圆通孔区域的硬掩膜进行断面形貌刻蚀量检测；进行晶圆通孔区域硬掩膜的总刻蚀量计算，并...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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