电离室、离子植入设备及离子植入方法技术

本发明专利技术公布了一种电离室，应用于离子植入设备，所述电离室包括腔体、送气管及灯丝，所述送气管和所述灯丝位于所述腔体内，所述送气管弯折形成封闭的框体，所述灯丝收容于所述框体内，所述灯丝通电时产生热电子，所述送气管面对所述灯丝的一侧设有出气孔，所述出气孔用于输出离子源气体，所述离子源气体撞击所述热电子，以产生等离子体。本发明专利技术还公布了一种离子植入设备和离子植入方法。由于离子源气体与热电子的碰撞均匀，产生于腔体内各位置的等离子体浓度均匀，提高了离子植入效果，在提高等离子体浓度均匀性的过程中减少调节灯丝的电流频率，提高了灯丝的寿命，延长了设备维护周期，降低了显示设备生产成本。

Ionization chamber, ion implantation device and ion implantation method

The invention discloses an ionization chamber used in ion implantation apparatus, the ionization chamber comprises a cavity, feed pipe and the air pipe and the filament, the filament is positioned in the cavity, the air pipe is bent to form a closed box body, the filament is arranged in the box body, produce the hot electrons of the filament is energized, the air in the face of one side of the filament is provided with an air outlet, the outlet for the output of the ion source gas, the ion source gas hit the hot electrons, to produce plasma. The invention also discloses an ion implantation device and an ion implantation method. Due to the collision with the ion source gas hot electron plasma concentration uniformity, produced in the cavity of each position is uniform, improve the effect of ion implantation, reducing the current frequency modulate filament in improving the uniformity of plasma density in the process of improving the life of the filament, prolonging the maintenance cycle, reducing the production cost of display equipment.

【技术实现步骤摘要】
电离室、离子植入设备及离子植入方法
本专利技术涉及显示器件制造
，尤其是涉及一种电离室、离子植入设备及离子植入方法。
技术介绍
显示设备已成为人们现代生活中的不可缺少的一部分，在显示设备的低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)的制程中，需要使用离子植入设备将等离子体植入到玻璃基板。在离子植入设备中，离子源气体通过送气管均匀的进入电离室，电离室内的灯丝通入电流后产生热电子，热电子与离子源气体发生碰撞形成等离子体。现有技术中，离子植入设备的送气管都是多个接入电离室的单孔，单孔流出的离子源气体与各灯丝的接触不均匀，为了保证产生的等离子体的均匀性，需要调整流过灯丝的电流，但是这样导致通过灯丝的电流不均匀，电流过大使灯丝过早断裂，缩短了灯丝的寿命，导致设备维护周期缩短，提高了显示设备生产成本，故无法在保证灯丝的寿命的前提下提高等离子体的均匀性、提高离子植入效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种电离室、离子植入设备及离子植入方法，用以解决现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电离室，应用于离子植入设备，其特征在于，所述电离室包括腔体、送气管及灯丝，所述送气管和所述灯丝位于所述腔体内，所述送气管弯折形成封闭的框体，所述灯丝收容于所述框体内，所述灯丝通电时产生热电子，所述送气管面对所述灯丝的一侧设有出气孔，所述出气孔用于输出离子源气体，所述离子源气体撞击所述热电子，以产生等离子体。

【技术特征摘要】
1.一种电离室，应用于离子植入设备，其特征在于，所述电离室包括腔体、送气管及灯丝，所述送气管和所述灯丝位于所述腔体内，所述送气管弯折形成封闭的框体，所述灯丝收容于所述框体内，所述灯丝通电时产生热电子，所述送气管面对所述灯丝的一侧设有出气孔，所述出气孔用于输出离子源气体，所述离子源气体撞击所述热电子，以产生等离子体。2.根据权利要求1所述的电离室，其特征在于，所述出气孔的数量为多个，各所述出气孔的尺寸相同，并且所述出气孔的分布密度与所述出气孔与所述灯丝的距离负相关。3.根据权利要求2所述的电离室，其特征在于，所述出气孔为单向气孔，向所述送气管输入所述离子源气体时，所述出气孔打开，所述离子源气体通过所述出气孔向所述送气管外流动，停止向所述送气管输入气体时，所述出气孔关闭，所述送气管内部与外界隔离。4.根据权利要求3所述的电离室，其特征在于，所述灯丝与环绕包围所述灯丝的送气管形成等离子体发生组，所述等离子体发生组的数量为多个。5.根据权利要求4所述的电离室，其特征在于，所述等离子体发生组中的所述灯丝的数...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢锐，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42