离子束蚀刻系统技术方案

本发明专利技术涉及离子束蚀刻系统，具体而言，公开的实施例涉及用于从衬底去除材料的方法和装置。在各种实施方案中，从半导体衬底上的诸如沟槽、孔或柱等先前的蚀刻特征的侧壁上去除导电材料。在实施本文中的技术时，衬底设置在反应腔室中，反应腔室被成波纹状的离子提取板分隔成上方等离子体产生腔室和下方处理腔室，孔隙贯通所述离子提取板。提取板呈波纹状，使得等离子体鞘遵循提取板的形状，使得离子以相对于衬底成角度地进入下方处理腔室。如此，在处理期间，离子能够穿透进入先前蚀刻的特征并且在这些特征的侧壁上撞击衬底。通过该机制，可以去除特征的侧壁上的材料。

Ion beam etching system

The present invention relates to an ion beam etching system, and in particular, an open embodiment relates to methods and devices for removing materials from substrates. In various embodiments, conductive materials are removed from sidewalls of previous etched features such as trenches, holes, and holes on a semiconductor substrate. In the implementation of the technology when the substrate is disposed in the reaction chamber, the reaction chamber is a corrugated plate ion extraction is divided into a chamber and below the processing chamber above the plasma generated through the ion extraction, pore plate. The extraction plate is corrugated, so that the plasma sheath follows the shape of the extraction plate so that the ion enters the lower processing chamber in an angular manner relative to the substrate. Thus, during processing, ions penetrate into the characteristics of previous etching and impact substrates on sidewalls of these features. By this mechanism, the material on the sidewalls of the feature can be removed.

【技术实现步骤摘要】
离子束蚀刻系统本申请是申请号为201410323125.8，申请日为2014年7月8日，申请人为朗姆研究公司，专利技术创造名称为“离子束蚀刻系统”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术总体上涉及半导体制造领域，具体涉及离子束蚀刻系统以及用于从半导体器件结构中的特征的侧壁去除材料的方法
技术介绍
半导体制造中经常采用的一种操作是蚀刻操作。在蚀刻操作中，从集成电路的半成品上部分地或全部地去除一种或多种材料。特别是在所涉及到的几何结构小、使用高深宽比或需要精确的图案转印的情况下，经常使用等离子体蚀刻。随着从平面结构发展到3D晶体管结构(例如，用于逻辑器件的FinFET栅极结构)和诸如磁阻式随机存取存储器(MRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)之类的先进的存储器结构，为了生产出高品质产品，等离子体蚀刻工艺需要愈加精确和均匀。常规蚀刻技术的一个问题在于，蚀刻副产物没有被扫除，而是有时会再沉积到不期望有这种沉积的表面上。例如，副产物可能沉积到衬底上，特别是特征的侧壁上。副产物通常是金属或富金属膜。当蚀刻非易失性物质时，这在制作诸如MRAM、ReRAM、交叉点存储器器件等先进器件时是常本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于蚀刻反应腔室的离子提取板，所述离子提取板包含：板，其中所述板的至少一部分成波纹状；以及所述板中的多个孔隙，每个孔隙具有中心和延伸通过该中心的轴线，其中延伸通过一个相应孔隙的中心的轴线定向成与该等离子提取板的定位有该相应孔隙的局部表面垂直，并且其中所述孔隙配置为当所述板暴露于所述蚀刻反应腔室中的等离子时允许等离子通过其中。

【技术特征摘要】
2013.07.08 US 13/936,9301.用于蚀刻反应腔室的离子提取板，所述离子提取板包含：板，其中所述板的至少一部分成波纹状；以及所述板中的多个孔隙，每个孔隙具有中心和延伸通过该中心的轴线，其中延伸通过一个相应孔隙的中心的轴线定向成与该等离子提取板的定位有该相应孔隙的局部表面垂直，并且其中所述孔隙配置为当所述板暴露于所述蚀刻反应腔室中的等离子时允许等离子通过其中。2.权利要求1所述的离子提取板，其中所述孔隙的主要尺寸为约0.5-5mm，所述主要尺寸在与该等离子提取板的定位有该相应孔隙的局部表面平行的方向测量。3.权利要求1所述的离子提取板，其中至少一些孔隙是圆锥形的，使得当考虑单个圆锥...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈梅特·辛格，亚历克斯·帕特森，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US