一种具有测试功能的聚焦离子束机台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有测试功能的聚焦离子束机台，包括腔体，所述腔体内设有离子源、离子源腔体、高压加速器、二次离子侦测器、信号发生器和样品座，所述离子源安装在离子源腔体的顶部，所述离子源通过高压加速器与电源接通，所述样品座固定在腔体的底部，所述离子源腔体位于样品座的上方并与所述样品座的表面垂直布置，所述二次离子侦测器位于离子源腔体的侧边，所述二次离子侦测器的中心线与离子源腔体的中心线相交于样品座的表面上，所述信号发生器位于二次离子侦测器的下方。本实用新型专利技术提供的具有测试功能的聚焦离子束机台实现了离子源的密度调整、样品能在真空的腔体内直接测量样品功能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及设备检测领域，具体涉及一种具有测试功能的聚焦离子束机台。
技术介绍
聚焦离子束机台是一种利用离子源当入射源来对材料进行分析或加工的仪器，聚焦离子束机台的应用将混合镓、液体及金属的离子源，照射于样品表面以取得影像或去除物质，当施加外加电场于液态镓的液相金属离子源时，会使液态镓形成细小离子束斑(在纳米级范围)，再利用负性电场牵引离子束斑的镓，将可以导出镓离子源，然后以电透镜聚焦，在经过系列的变化孔径后来决定离子束斑的大小，最后离子束斑经过二次聚焦到达样品的表面，利用物理碰撞来达到切割等目的。现有聚焦离子束机台中离子源的密度比较低，且加工时离子源的密度不方便进行调整，样品无法在真空的腔体内直接测量样品的功能，须等样品加工完后取出腔体后才能测量样品的功能。
技术实现思路
鉴于目前聚焦离子束机台存在的上述不足，本技术提供一种实现了离子源的密度调整、样品能在真空的腔体内直接测量样品功能的具有测试功能的聚焦离子束机台。为达到上述目的，本技术采用根据下技术方案:一种具有测试功能的聚焦离子束机台，包括腔体，所述腔体内设有离子源、离子源腔体、高压加速器、二次离子侦测器、信号发生器和样品座，所述离子源安装在离子源腔体的顶部，所述离子源通过高压加速器与电源接通，所述样品座固定在腔体的底部，所述离子源腔体位于样品座的上方并与所述样品座的表面垂直布置，所述二次离子侦测器位于离子源腔体的侧边，所述二次离子侦测器的中心线与离子源腔体的中心线相交于样品座的表面上，所述信号发生器位于二次离子侦测器的下方。依照本技术的一个方面，所述离子源的中心线与离子源腔体的中心线重合。依照本技术的一个方面，所述高压加速器的工作电压为O — 50kV。本技术的优点:由于本技术的腔体内设有离子源、离子源腔体、高压加速器、二次离子侦测器、信号发生器和样品座，离子源安装在离子源腔体的顶部，样品座固定在腔体的底部，离子源腔体位于样品座的上方并与所述样品座的表面垂直布置，由于离子源通过高压加速器与电源接通，高压加速器对聚焦离子束的工作电压进行调整，比如:工作电压的调整范围为O — 50kV，从而实现了离子源的密度调整；二次离子侦测器位于离子源腔体的侧边，由于二次离子侦测器的中心线与离子源腔体的中心线相交于样品座的表面上，信号发生器位于二次离子侦测器的下方，样品放置在样品座上，二次离子侦测器接收到样品表面受到离子源轰击而激发电子成像，信号发生器用来测量样品的功能点，所以本技术的具有测试功能的聚焦离子束机台实现了离子源的密度调整、样品能在真空的腔体内直接测量样品功能。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的一种具有测试功能的聚焦离子束机台的示意图。【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，一种具有测试功能的聚焦离子束机台，包括腔体6，所述腔体6内设有离子源3、离子源腔体5、高压加速器4、二次离子侦测器2、信号发生器I和样品座7，离子源3安装在离子源腔体5的顶部，离子源3通过高压加速器4与电源8接通，样品座7固定在腔体6的底部，离子源腔体5位于样品座7的上方并与样品座7的表面垂直布置，二次离子侦测器2位于离子源腔体5的侧边，二次离子侦测器2的中心线与离子源腔体5的中心线相交于样品座7的表面上，信号发生器I位于二次离子侦测器2的下方。在实际应用中，腔体6为密闭的真空体，样品座7固定在腔体6的底部，样品放置在样品座7上，离子源3的中心线与离子源腔体5的中心线重合，离子源腔体5根据样品的位置进行适当调整，离子源3中的离子经过高压加速器4进行高电压加速通过透镜形成很少的离子束斑，离子束斑轰击位于样品台7上的样品，利用物理碰撞来达到切割等目的，离子束斑切割样品时，会使样品表面散射出二次离子和二次电子，通过二次离子侦测器2的检测可形成样品的高清晰度、高分辨率的扫描离子图像。高压加速器4对聚焦离子束的工作电压进行调整，高压加速器4的工作电压可为O — 50kV，从而实现了离子源的密度调整；当二次离子侦测器2接收到样品表面受到离子源3轰击而激发电子成像，信号发生器I主要用来测量样品的功能点。本技术的工作原理:由于本技术的腔体6内设有离子源3、离子源腔体5、高压加速器4、二次离子侦测器2、信号发生器I和样品座7，离子源3安装在离子源腔体5的顶部，样品座7固定在腔体6的底部，离子源腔体5位于样品座7的上方并与样品座7的表面垂直布置，由于离子源3通过高压加速器4与电源8接通，高压加速器4对聚焦离子束的工作电压进行调整，比如:工作电压的调整范围为O — 50kV，从而实现了离子源3的密度调整；二次离子侦测器2位于离子源腔体5的侧边，由于二次离子侦测器2的中心线与离子源腔体5的中心线相交于样品座7的表面上，信号发生器I位于二次离子侦测器2的下方，样品放置在样品座7上，二次离子侦测器2接收到样品表面受到离子源3轰击而激发电子成像，信号发生器I用来测量样品的功能点，所以本技术的具有测试功能的聚焦离子束机台实现了离子源3的密度调整、样品能在真空的腔体6内直接测量样品功能。以上所述，仅为本技术的【具体实施方式】，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域技术的技术人员在本技术公开的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。【主权项】1.一种具有测试功能的聚焦离子束机台，包括腔体，其特征在于，所述腔体内设有离子源、离子源腔体、高压加速器、二次离子侦测器、信号发生器和样品座，所述离子源安装在离子源腔体的顶部，所述离子源通过高压加速器与电源接通，所述样品座固定在腔体的底部，所述离子源腔体位于样品座的上方并与所述样品座的表面垂直布置，所述二次离子侦测器位于离子源腔体的侧边，所述二次离子侦测器的中心线与离子源腔体的中心线相交于样品座的表面上，所述信号发生器位于二次离子侦测器的下方。2.根据权利要求1所述的具有测试功能的聚焦离子束机台，其特征在于，所述离子源的中心线与离子源腔体的中心线重合。3.根据权利要求1所述的具有测试功能的聚焦离子束机台，其特征在于，所述高压加速器的工作电压为O — 50kV。【专利摘要】本技术公开了一种具有测试功能的聚焦离子束机台，包括腔体，所述腔体内设有离子源、离子源腔体、高压加速器、二次离子侦测器、信号发生器和样品座，所述离子源安装在离子源腔体的顶部，所述离子源通过高压加速器与电源接通，所述样品座固定在腔体的底部，所述离子源腔体位于样品座的上方并与所述样品座的表面垂直布置，所述二次离子侦测器位于离子源腔体的侧边，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有测试功能的聚焦离子束机台，包括腔体，其特征在于，所述腔体内设有离子源、离子源腔体、高压加速器、二次离子侦测器、信号发生器和样品座，所述离子源安装在离子源腔体的顶部，所述离子源通过高压加速器与电源接通，所述样品座固定在腔体的底部，所述离子源腔体位于样品座的上方并与所述样品座的表面垂直布置，所述二次离子侦测器位于离子源腔体的侧边，所述二次离子侦测器的中心线与离子源腔体的中心线相交于样品座的表面上，所述信号发生器位于二次离子侦测器的下方。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尚跃，余夕霞，
申请(专利权)人：上海聚跃电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31