【技术实现步骤摘要】
形成精细图案的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年3月21日提交的申请号为10-2016-0033473的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的各种实施例总体而言涉及半导体技术,更具体地,涉及形成精细图案的方法。
技术介绍
随着半导体产业的快速增长,很多努力集中于将更多的图案集成在半导体衬底的有限区域中。即,增加半导体器件的集成密度的尝试已经典型地集中于形成更精细的图案。针对形成具有纳米级临界尺寸(CD)的精细图案,例如从大约几纳米至大约几十纳米的尺寸,已经提出了各种技术。在仅使用光刻工艺来形成半导体器件的精细图案的情况下,由于在光刻工艺中所使用的光刻装置的图像分辨率极限,而在形成精细图案时会存在一些限制。光刻装置的图像分辨率极限可能是归因于光刻装置中使用的光源所产生的光的波长,以及归因于光刻装置中所使用的现有的光学系统的分辨率极限。近来,已经提出了双图案化技术(DPT)或者间隔件图案化技术(SPT),以克服光刻装置的分辨率极限并且实现甚至更精细的图案。
技术实现思路
根据一个实施例,提供了一种形成精细图案的方法。所述方法包括:在底层 ...
【技术保护点】
一种用于形成精细图案的方法,所述方法包括:在底层之上形成以行和列排列的柱体;在底层之上形成间隔件层以覆盖柱体,其中,分别覆盖排列在每个行或每个列中的柱体的间隔件层的部分彼此接触,以提供设置在柱体之间的第一间隙空间,第一间隙空间排列在行方向与列方向之间的对角线方向上,并且以在第一间隙空间的每个的拐角处设置裂隙;以及在间隔件层上形成愈合层,以填充第一间隙空间的裂隙,其中,愈合层形成为提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间,并且包括聚合物材料。
【技术特征摘要】
2016.03.21 KR 10-2016-00334731.一种用于形成精细图案的方法,所述方法包括:在底层之上形成以行和列排列的柱体;在底层之上形成间隔件层以覆盖柱体,其中,分别覆盖排列在每个行或每个列中的柱体的间隔件层的部分彼此接触,以提供设置在柱体之间的第一间隙空间,第一间隙空间排列在行方向与列方向之间的对角线方向上,并且以在第一间隙空间的每个的拐角处设置裂隙;以及在间隔件层上形成愈合层,以填充第一间隙空间的裂隙,其中,愈合层形成为提供分别位于第一间隙空间中的第二间隙空间,并且包括聚合物材料。2.根据权利要求1所述的用于形成精细图案的方法,其中,第一间隙空间被覆盖柱体的侧壁的间隔件层包围。3.根据权利要求1所述的用于形成精细图案的方法,其中,愈合层形成为提供具有与柱体大体上相同的平面形状的第二间隙空间。4.根据权利要求1所述的用于形成精细图案的方法,其中,形成愈合层包括:在间隔件层之上涂覆包括聚合物链的溶液;焙烤溶液,以将聚合物链接枝至间隔件层的表面上;以及去除聚合物链中未接枝的聚合物链。5.根据权利要求4所述的用于形成精细图案的方法,其中,执行焙烤溶液,以引起缠结移动,使得聚合物链接枝至间隔件的表面上,并且彼此缠结;以及其中,去除未接枝的聚合物链的步骤去除了未缠结的聚合物链。6.根据权利要求5所述的用于形成精细图案的方法,其中,缠结的聚合物链填充第一间隙空间的裂隙。7.根据权利要求4所述的用于形成精细图案的方法,其中,聚合物链中的每个包括链本体和与链本体的一个端部结合的官能团;以及其中,官能团与间隔件层反应。8.根据权利要求7所述的用于形成精细图案的方法,其中,执行焙烤溶液的步骤,以产生共价键,官能团通过共价键与间隔件层的表面官能团结合。9.根据权利要求1所述的用于形成精细图案的方法,还包括在形成愈合层之前,将退火工艺应用至间隔件层的表面。10.根据权利要求1所述的用于形成精细图案的方法,还包括延伸第二间隙空间,以穿透底层。11....
【专利技术属性】
技术研发人员:许仲君,金弘益,潘槿道,卜喆圭,金永式,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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