材料组合物及其方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种材料组合物和方法，所述方法包括提供衬底并在衬底上形成光刻胶层。在各个实施例中，光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物。举例来说，EUV吸收元件包括第一金属类型，桥接元件包括第二金属类型。在一些实施例中，对光刻胶层执行曝光工艺。在执行曝光工艺之后，对曝光的光刻胶显影以形成图案化的光刻胶层。本发明专利技术实施例涉及材料组合物及其方法。

Material composition and method thereof

Embodiments of the present invention provide a material composition and method comprising providing a substrate and forming a photoresist layer on a substrate. In each embodiment, the photoresist layer includes a multi metal complex comprising an extremely ultraviolet (EUV) absorbing element and a bridging element. For example, the EUV absorption element includes a first metal type, and the bridging element includes a second metal type. In some embodiments, exposure processes are performed on the photoresist layer. After exposing the exposure process, the exposed photoresist is developed to form a patterned photoresist layer. The embodiment of the invention relates to a material composition and method thereof.

【技术实现步骤摘要】
材料组合物及其方法
本专利技术实施例涉及材料组合物及其方法。
技术介绍
电子工业经历了对更小和更快的电子器件的不断增长的需求，这些电子器件同时能够支持更多数量的日益复杂且精细的功能。因此，在半导体工业中存在制造低成本、高性能和低功率集成电路(IC)的持续趋势。迄今为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体IC尺寸(例如，最小部件尺寸)而实现的，从而提高生产效率并降低相关成本。然而，这种缩放还给半导体制造工艺带来了增加的复杂性。因此，实现半导体IC和器件的持续发展要求半导体制造工艺和技术中的类似发展。通常，给定半导体IC的最小部件尺寸是在光刻工艺中使用的辐射源的波长以及光刻胶组成和光刻胶选择性等因素的函数。随着半导体光刻技术的进步，所使用的辐射源的波长已经减小，并且辐射源本身可能相对较弱，使得光刻胶已经被设计为尽可能有效地利用辐射源。作为一个示例，已经引入化学放大光刻胶(CAR)组合物，以努力增加光刻胶对曝光光源的敏感性。然而，CAR系统遇到了难以克服的限制，例如薄膜中的光子吸收差、适度的蚀刻选择性和有限的分辨率增益。此外，对具有高分辨率、低线宽粗糙度(LWR)和高敏感性的光刻胶的需求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成光刻胶层，其中，所述光刻胶层包括包含极紫外(EUV)吸收元件和桥接元件的多金属配合物，并且其中，所述极紫外吸收元件包括第一金属类型，所述桥接元件包括第二金属类型；对所述光刻胶层执行曝光工艺；以及在执行所述曝光工艺之后，显影曝光的所述光刻胶层以形成图案化的光刻胶层。

【技术特征摘要】
2016.03.18 US 62/310,421;2017.01.06 US 15/400,8421.一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张书豪，陈建志，高国璋，陈政宏，贾丕业，陈启任，林英智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71