一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，涉及显示器制造技术领域，能够通过采用一个普通的掩膜版通过一次曝光，以形成具有台阶状的两个膜层图案的阵列基板。该阵列基板的制作方法包括：在基板上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，其中，第一光刻胶层的折射率小于第二光刻胶层的折射率；采用透过掩膜版、且边缘具有倾斜光线的入射光束对形成有第一光刻胶层和第二光刻胶层的基板进行曝光处理；对进行曝光处理后的基板进行显影处理，以形成台阶状的显影图案层；对形成有显影图案层进行固化处理。

Method for manufacturing array substrate, array substrate and display device

The embodiment of the invention provides a method for manufacturing an array substrate, array substrate and display device, relates to the technical field of display manufacture, through an ordinary mask by a single exposure using array substrate two film to form a pattern having stepped. Including the manufacturing method of the array substrate in a substrate sequentially forming a first photoresist layer and a photoresist layer second, wherein the first photoresist layer, the refractive index was less than second of the photoresist layer using rate; mask, and the edge of the light beam is inclined to form a substrate with a first photoresist layer and a photoresist layer second exposure is carried out; the substrate is subjected to exposure processing after the developing process, developing pattern layer to form a step shape; developing pattern layer curing treatment on the formation of.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示器制造
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
在现有的显示器制造
，尤其是针对阵列基板的制作，对于位于相邻的薄膜层，一般需要通过两次构图工艺(即采用两个普通的掩膜版)，分别进行构图，形成所需要的两个膜层图案；当然为了简化工艺，降低制作成本，对于一些相邻膜层图案，可以选择采用半透掩膜(HalfToneMask)构图方法，通过采用半透掩膜版对两个相邻的薄膜层进行一次曝光，以形成两个膜层图案。具体的，以有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)显示装置中的阵列基板为例，如图1所示，该阵列基板02上设置有相邻的两个膜层图案层：像素定义层(PixelDefineLayer，简称PDL)和光刻间隙柱(PhotoSpacer，简称PS)层；如图1所示，现有技术中，一般采用半透掩膜构图方法采用一个半透掩膜版01，即可形成具有PDL和PS层的阵列基板02。然而，对于上述半透掩膜构图方法而言，采用的半透掩膜版01的价格较贵，且制作工艺较为复杂，从而使得OLED显示装置制作成本仍然较高，不利于量产化。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，能够通过采用一个普通的掩膜版通过一次曝光，以形成具有台阶状的两个膜层图案的阵列基板。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术实施例一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，其中，所述第一光刻胶层的折射率小于所述第二光刻胶层的折射率；采用透过掩膜版、且边缘具有倾斜光线的入射光束对形成有所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的基板进行曝光处理；对进行曝光处理后的基板进行显影处理，以形成台阶状的显影图案层；对形成有所述显影图案层进行固化处理。进一步的，在所述显影处理之后、所述固化处理之前，所述制作方法还包括：对形成有所述显影图案层的基板进行硬烘处理，以使得所述显影图案层发生热流重塑。进一步的，所述硬烘处理的温度为130℃～140℃。进一步的，采用投影式曝光进行曝光处理。进一步的，在所述入射光束为汇聚光束的情况下，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层选用正性光刻胶；或者，在所述入射光束为发散光束的情况下，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层选用负性光刻胶。进一步的，所述固化处理为热固化处理。进一步的，所述第一光刻胶层在固化处理后形成像素定义层，所述第二光刻胶层在固化处理后形成光刻间隙柱层。进一步的，所述第一光刻胶层的厚度为1.0μm～2.0μm，所述第二光刻胶层的厚度为1.0μm～2.0μm。进一步的，所述第一光刻胶层的折射率为1.0～1.4，所述第二光刻胶层的折射率为1.5～1.8。本专利技术实施例另一方面还提供一种阵列基板，采用上述的阵列基板的制作方法形成。本专利技术实施例再一方面还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，该制作方法包括在基板上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，其中，第一光刻胶层的折射率小于第二光刻胶层的折射率；采用透过掩膜版、且边缘具有倾斜光线的入射光束对形成有第一光刻胶层和第二光刻胶层的基板进行曝光处理；对进行曝光处理后的基板进行显影处理，以形成台阶状的显影图案层；对形成有所述显影图案层进行固化处理。综上，该制作方法对依次位于基板上的第一光刻胶层和第二光刻胶层采用边缘具有倾斜光线的入射光束进行曝光处理，由于第一光刻胶层折射率小于第二光刻胶层的折射率，则通过曝光以及显影处理后直接形成台阶状的显影图案层，然后进行固化处理，使得台阶状的显影图案层固化为台阶状的两个膜层图案，这样一来，相比于现有技术采用半透掩膜版而言，本专利技术通过采用一个普通的掩膜版通过一次曝光，即可形成具有台阶状的两个膜层图案的阵列基板，从而达到简化工艺，降低制作成本的目的，并且更利于量产化的实现。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种半透掩膜构图方法的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图4a为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图4b为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图4c为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图5a为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图5b为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图5c为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作过程中的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种热流重塑的过程示意图。附图标记：01-半透掩膜版；02-阵列基板；10-基板；100-入射光束；101-第一光刻胶层；102-第二光刻胶层；20-掩膜板；21-透过区；22-不透过区；30-镜头。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法，如图2所示，该制作方法包括：步骤S101、如图3所示，在基板10上依次形成第一光刻胶层101和第二光刻胶层102，其中，第一光刻胶层101的折射率小于第二光刻胶层102的折射率。具体的，以OLED显示装置的制作为例，上述基板10为TFT(ThinFilmTransistor，简称薄膜晶体管)阵列基板，上述第一光刻胶层101用于形成像素定义层PDL，第二光刻胶层102用于形成光刻间隙柱层PS，在此情况下，第一光刻胶层101的厚度可以为1.0μm～2.0μm，第二光刻胶层102的厚度为1.0μm～2.0μm，例如，第一光刻胶层101和第二光刻胶层102的厚度可以均为1.5μm，但并不限制于此。在实际的应用中，上述第一光刻胶层的折射率可以为1.0～1.4，第二光刻胶层的折射率可以为1.5～1.8；具体的，可以选择折射率为1.3的第一光刻胶层101，折射率为1.6的第二光刻胶层102，当然并不限制于此。另外，上述第一光刻胶层101和第二光刻胶层102可以采用旋涂的方式，或者幕帘涂覆的方式，也可以采用其他涂覆方式，本专利技术对此不作具体限定。步骤S102、采用透过掩膜版20、且边缘具有倾斜光线的入射光束100对形成有第一光刻胶层101和第二光刻胶层102的基板进行曝光处理。具体的，上述掩膜版20为普通的常规掩膜版，即仅包括透过区21和不透过区22，相比于半透掩膜版包括透过区、不透过区和半透过区而言，本专利技术中采用的掩膜版20价格低廉。需要说明的是，上述边缘具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，其中，所述第一光刻胶层的折射率小于所述第二光刻胶层的折射率；采用透过掩膜版、且边缘具有倾斜光线的入射光束对形成有所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的基板进行曝光处理；对进行曝光处理后的基板进行显影处理，以形成台阶状的显影图案层；对形成有所述显影图案层进行固化处理。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，其中，所述第一光刻胶层的折射率小于所述第二光刻胶层的折射率；采用透过掩膜版、且边缘具有倾斜光线的入射光束对形成有所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的基板进行曝光处理；对进行曝光处理后的基板进行显影处理，以形成台阶状的显影图案层；对形成有所述显影图案层进行固化处理。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述显影处理之后、所述固化处理之前，所述制作方法还包括：对形成有所述显影图案层的基板进行硬烘处理，以使得所述显影图案层发生热流重塑。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述硬烘处理的温度为130℃～140℃。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用投影式曝光进行曝光处理。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述入射光束为汇聚光束的情况下，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈善韬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11