改善光阻残膜的方法技术

本发明专利技术提供一种改善光阻残膜的方法，在进行离子掺杂制程之前对光阻层(5)仅进行软烤，使得光阻层(5)的上表面(51)遮盖住光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处，以所述光阻层(5)为遮挡基板(1)进行离子掺杂制程时，在所述光阻层(5)的上表面(51)的保护下，光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处便不会因离子掺杂而变性，在剥离光阻时，也不会在所述光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处出现光阻残膜，从而易于对所述交接处的光阻层(5)进行清除，保证所述交接处的清洁，有助于提高产品良率。

Method for improving photoresist remnant film

\u672c\u53d1\u660e\u63d0\u4f9b\u4e00\u79cd\u6539\u5584\u5149\u963b\u6b8b\u819c\u7684\u65b9\u6cd5\uff0c\u5728\u8fdb\u884c\u79bb\u5b50\u63ba\u6742\u5236\u7a0b\u4e4b\u524d\u5bf9\u5149\u963b\u5c42(5)\u4ec5\u8fdb\u884c\u8f6f\u70e4\uff0c\u4f7f\u5f97\u5149\u963b\u5c42(5)\u7684\u4e0a\u8868\u9762(51)\u906e\u76d6\u4f4f\u5149\u963b\u5c42(5)\u7684\u4e0b\u8868\u9762(52)\u4e0e\u57fa\u677f(1)\u7684\u4ea4\u63a5\u5904\uff0c\u4ee5\u6240\u8ff0\u5149\u963b\u5c42(5)\u4e3a\u906e\u6321\u57fa\u677f(1)\u8fdb\u884c\u79bb\u5b50\u63ba\u6742\u5236\u7a0b\u65f6\uff0c\u5728\u6240\u8ff0\u5149\u963b\u5c42(5)\u7684\u4e0a\u8868\u9762(51)\u7684\u4fdd\u62a4\u4e0b\uff0c\u5149\u963b\u5c42(5)\u7684\u4e0b\u8868\u9762(52)\u4e0e\u57fa\u677f(1)\u7684\u4ea4\u63a5\u5904\u4fbf\u4e0d\u4f1a\u56e0\u79bb\u5b50\u63ba\u6742\u800c\u53d8\u6027\uff0c\u5728\u5265\u79bb\u5149\u963b\u65f6\uff0c\u4e5f\u4e0d\u4f1a\u5728\u6240\u8ff0\u5149\u963b\u5c42(5)\u7684\u4e0b\u8868\u9762(52)\u4e0e\u57fa\u677f(1)\u7684\u4ea4\u63a5\u5904\u51fa\u73b0\u5149\u963b\u6b8b\u819c\uff0c\u4ece\u800c\u6613\u4e8e\u5bf9\u6240\u8ff0\u4ea4\u63a5\u5904\u7684\u5149\u963b\u5c42(5)\u8fdb\u884c\u6e05\u9664\uff0c\u4fdd\u8bc1\u6240\u8ff0\u4ea4\u63a5\u5904\u7684\u6e05\u6d01\uff0c\u6709\u52a9\u4e8e\u63d0\u9ad8\u4ea7\u54c1\u826f\u7387\u3002

【技术实现步骤摘要】
改善光阻残膜的方法
本专利技术涉及显示器件制程
，尤其涉及一种改善光阻残膜的方法。
技术介绍
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机电致发光显示器(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(BacklightModule)。液晶面板通常是由一彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其中TFT阵列基板上制备有呈阵列式排布的TFT，用于驱动液晶的旋转，控制每个像素的显示，而CF基板上设置有彩色滤光层，用于形成每个像素的色彩。有机电致发光显示器同样需要TFT基板，以TFT作为开关部件和驱动部件，并在TFT基板上制作出呈阵列式排布的像素结构。TFT一般包括栅极、半导体有源层、及分别接触所述半导体有源层两侧的源极(Source)、与漏极(Drain)。根据半导体有源层在对应于源极及漏极的部位所掺杂(Doping)物质的不同，TFT可分为NMOS、PMOS、及CMOS，其中NMOS使用磷(Phosphorus)离子进行N型掺杂，PMOS使用硼(Boron)离子进行P型掺杂，CMOS则可以使用磷、硼这两种离子进行掺杂。N型掺杂对半导体有源层的掺杂区域有选择性，不需要掺杂的区域会以光阻(Photoresist，PR)层进行遮挡。如图1所示，现有技术在进行离子掺杂之前会在栅极绝缘层300、及栅极400上涂布光阻层500，然后对光阻层500进行烘烤(Bake)以固化光阻，最终使得光阻层500遮盖半导体有源层200的中部，而暴露出半导体有源层200的两侧。值得注意的是，现有的烘烤制程按时间先后依次进行软烤(SoftBake)、与硬烤(HardBake)；其中，软烤又称为前烘烤，用来将大部分的光阻层溶剂从光阻中去除；硬烤又称为后烘烤，是在对光阻做显影处理后所做的再次烘烤，用来进一步将光阻内残留的溶剂含量降到最低。经现有的烘烤制程固化后的光阻层500的外轮廓类似椭球状，光阻层500的横剖面自上至下越来越大，且在光阻层500与栅极绝缘层300的接触界面处达到最大。在离子掺杂进行过程中，由于光阻层500自身外轮廓的形状，光阻层500的全部表面都会发生变性，形成一层变性层501；后续剥离光阻层500时，如图2所示，光阻层500与栅极绝缘层300的接触界面处所形成的变性层501无法去除而成为光阻残膜，造成界面不清洁，并由此引发相关的产品不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改善光阻残膜的方法，能够使得光阻层在其与栅极绝缘层的界面处不会因离子掺杂而变性，避免在光阻层与栅极绝缘层的界面处发生光阻残膜问题，易于对界面处的光阻层进行清除，保证界面清洁，有助于提高产品良率。为实现上述目的，本专利技术提供一种改善光阻残膜的方法，包括以下步骤：步骤S1、提供待进行离子掺杂的基板；步骤S2、在所述基板上涂布液态光阻，形成光阻层，光阻层的上表面遮盖住光阻层的下表面与基板的交接处；步骤S3、对所述光阻层进行软烤使光阻层固化，保持光阻层的形状不变，使得光阻层的上表面仍遮盖住光阻层的下表面与基板的交接处；步骤S4、以所述光阻层为遮挡对基板进行离子掺杂制程；所述光阻层的上表面发生变性，而光阻层的下表面与基板的交接处不发生变性；步骤S5、剥离所述光阻层；所述光阻层的下表面与基板的交接处无光阻残膜。所述基板包括衬底基板、设在所述衬底基板上的半导体有源层、覆盖所述半导体有源层与衬底基板的栅极绝缘层、及于半导体有源层中部的上方设在所述栅极绝缘层上的栅极；所述步骤S2是在所述基板的栅极与栅极绝缘层上涂布液态光阻，形成光阻层；所述光阻层的下表面与基板的交接处即光阻层的下表面与栅极绝缘层的交接处；所述步骤S4以所述光阻层为遮挡对半导体有源层的两侧进行离子掺杂制程。所述步骤S4中的离子掺杂制程为N型离子重掺杂、或N型离子轻掺杂。所述软烤在烘烤箱内进行。软烤的温度为110℃。软烤的持续时间为140S～150S。可选的，光阻层两侧面的轮廓形状为向光阻层内弯曲的弧形。可选的，光阻层两侧面的轮廓形状为自上至下朝向光阻层内倾斜的斜线形。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种改善光阻残膜的方法，在进行离子掺杂制程之前对光阻层仅进行软烤，使得光阻层的上表面遮盖住光阻层的下表面与基板的交接处，以所述光阻层为遮挡对基板进行离子掺杂制程时，在所述光阻层的上表面的保护下，光阻层的下表面与基板的交接处便不会因离子掺杂而变性，在剥离光阻时，也不会在所述光阻层的下表面与基板的交接处出现光阻残膜，从而易于对所述交接处的光阻层进行清除，保证所述交接处的清洁，有助于提高产品良率。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为现有技术进行离子掺杂时的示意图；图2为现有技术进行光阻层剥离之后的示意图；图3为本专利技术的改善光阻残膜的方法的流程图；图4为本专利技术的改善光阻残膜的方法的步骤S2及步骤S3的示意图；图5为本专利技术的改善光阻残膜的方法的步骤S4的示意图；图6为本专利技术的改善光阻残膜的方法的步骤S5的示意图；图7为本专利技术的改善光阻残膜的方法中光阻层另一种结构形式的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图3，本专利技术提供一种改善光阻残膜的方法，包括以下步骤：步骤S1、提供待进行离子掺杂的基板1。参考图4，所述基板1包括衬底基板11、设在所述衬底基板11上的半导体有源层12、覆盖所述半导体有源层12与衬底基板11的栅极绝缘层13、及于半导体有源层12中部的上方设在所述栅极绝缘层13上的栅极14。具体地，所述衬底基板11优选玻璃基板；所述半导体有源层12可以但不限于为氧化物半导体有源层、多晶硅半导体有源层、或非晶硅半导体有源层；所述栅极绝缘层13的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合；所述栅极14的材料为铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)中的一种或几种的堆栈组合。步骤S2、参考图4，在所述基板1的栅极14与栅极绝缘层13上涂布液态光阻，形成光阻层5。由于液态光阻的自身特性，所形成的光阻层5的上表面51遮盖住光阻层5的下表面52与基板1的交接处，即光阻层5的下表面52与栅极绝缘层13的交接处。进一步地，所述光阻层5两侧面53的轮廓形状可以如图4所示，为向光阻层5内弯曲的弧形；或如图7所示，为自上至下朝向光阻层5内倾斜的斜线形，以满足光阻层5的上表面51长于下表面52。步骤S3、参考图4，对所述光阻层5进行软烤使光阻层5固化，保持光阻层5的形状不变，使得光阻层5的上表面51仍遮盖住光阻层5的下表面52与栅极绝缘层13的交接处。具体地，该步骤S3的软烤制程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善光阻残膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供待进行离子掺杂的基板(1)；步骤S2、在所述基板(1)上涂布液态光阻，形成光阻层(5)，光阻层(5)的上表面(51)遮盖住光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处；步骤S3、对所述光阻层(5)进行软烤使光阻层(5)固化，保持光阻层(5)的形状不变，使得光阻层(5)的上表面(51)仍遮盖住光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处；步骤S4、以所述光阻层(5)为遮挡对基板(1)进行离子掺杂制程；所述光阻层(5)的上表面(51)发生变性，而光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处不发生变性；步骤S5、剥离所述光阻层(5)；所述光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处无光阻残膜。

【技术特征摘要】
1.一种改善光阻残膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供待进行离子掺杂的基板(1)；步骤S2、在所述基板(1)上涂布液态光阻，形成光阻层(5)，光阻层(5)的上表面(51)遮盖住光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处；步骤S3、对所述光阻层(5)进行软烤使光阻层(5)固化，保持光阻层(5)的形状不变，使得光阻层(5)的上表面(51)仍遮盖住光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处；步骤S4、以所述光阻层(5)为遮挡对基板(1)进行离子掺杂制程；所述光阻层(5)的上表面(51)发生变性，而光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处不发生变性；步骤S5、剥离所述光阻层(5)；所述光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处无光阻残膜。2.如权利要求1所述的改善光阻残膜的方法，其特征在于，所述基板(1)包括衬底基板(11)、设在所述衬底基板(11)上的半导体有源层(12)、覆盖所述半导体有源层(12)与衬底基板(11)的栅极绝缘层(13)、及于半导体有源层(12)中部的上方设在所述栅极绝缘层(13)上的栅极(14)。3.如权利要求2所述的改善...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42