一种掩膜版、过孔的制作方法及显示基板的制作方法技术

本发明专利技术公开一种掩膜版、过孔的制作方法及显示基板的制作方法，涉及显示基板制作技术领域，防止形成的过孔远离光刻胶的一侧残留有薄膜的材料。所述掩膜版包括板体和呈环状的半色调片，板体上开设有透光孔，透光孔包括位于透光孔的中部、且与待制作的过孔对应的全透区，半色调片环绕全透区设置，并遮蔽透光孔除全透区以外的区域。利用所述掩膜版对光刻胶曝光，光刻胶与全透区对应的区域被完全曝光，光刻胶与半色调片对应的区域被部分曝光，对光刻胶显影，光刻胶中形成的孔状结构的孔壁相对薄膜朝向光刻胶的表面的坡度较小，对薄膜进行刻蚀时，增加与薄膜接触的刻蚀介质的数量，改善刻蚀效果，防止形成的过孔远离光刻胶的一侧残留有薄膜的材料。

Mask plate, through-hole manufacturing method and display substrate manufacturing method

The invention discloses a mask plate, a manufacturing method of a through-hole and a manufacturing method of a display substrate, relating to the technical field of display substrate fabrication, and preventing the formed vias from sticking to one side of the photoresist. The mask includes a halftone plate body and an annular plate body, is provided with a light hole, light hole is located in the central, including light hole and transparent area corresponding through holes to be made, half tone film around the full penetration zone settings, and covered in a transparent area outside light hole area. Use the mask exposure of photoresist, photoresist and a transparent area corresponding to the area was completely exposed, the photoresist and halftone sheet corresponding area is part of the exposure, the photoresist developing, hole wall hole shaped structure formed in a resist film surface toward the relative photoresist slope is small, etching the thin film etching, increase the number of media contact with the film, improve the etching effect, prevent side vias formed from the photoresist residue film material.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版、过孔的制作方法及显示基板的制作方法
本专利技术涉及显示基板制作
，尤其涉及一种掩膜版、过孔的制作方法及显示基板的制作方法。
技术介绍
目前，在显示基板的制作工艺中，通常需要在某些薄膜中制作过孔。现有技术中，制作过孔时，通常在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶，然后用掩膜版对光刻胶进行曝光，然后对曝光后的光刻胶进行显影，光刻胶内形成与待制作的过孔对应的孔状结构，然后对薄膜与光刻胶内孔状结构对应的区域进行刻蚀，形成过孔。采用上述方法制作过孔时，掩膜版上的透光孔的直径与过孔的直径相对应，对光刻胶进行曝光和显影后，光刻胶内形成的孔状结构的孔壁相对薄膜朝向光刻胶的表面的坡度通常较大，甚至接近垂直，因而对薄膜与孔状结构对应的区域进行刻蚀时，使得刻蚀介质(例如干刻时所使用的等离子体、湿刻时所使用的蚀刻液等)穿过孔状结构与薄膜接触的量减少，刻蚀介质不能对薄膜与孔状结构对应的区域进行充分刻蚀，造成对薄膜进行刻蚀后形成的过孔远离光刻胶的一侧残留有薄膜的材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种掩膜版，用于解决对薄膜进行刻蚀后形成的过孔远离光刻胶的一侧残留有薄膜的材料的技术问题。为了实现上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版，其特征在于，包括板体和呈环状的半色调片，所述板体上开设有透光孔，所述透光孔包括位于所述透光孔的中部、且与待制作的过孔对应的全透区，所述半色调片环绕所述全透区设置，并遮蔽所述透光孔除所述全透区以外的区域。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括板体和呈环状的半色调片，所述板体上开设有透光孔，所述透光孔包括位于所述透光孔的中部、且与待制作的过孔对应的全透区，所述半色调片环绕所述全透区设置，并遮蔽所述透光孔除所述全透区以外的区域。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，由所述半色调片的内环指向所述半色调片的外环的方向，所述半色调片的透光率逐渐减小。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述透光孔的半径与所述半色调片的内环半径之差为0.5μm～1μm。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半色调片位于所述透光孔内。5.一种过孔的制作方法，其特征在于，包括：在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；利用如权利要求1～4任一所述的掩膜版，对所述光刻胶进行曝光；对曝光后的所述光刻胶进行显影，暴露出所述薄膜；对暴露的所述薄膜进行刻蚀，形成过孔。6.根据权利要求5所述的过孔的制作方法，其特征在于，对暴露的所述薄膜进行刻蚀的工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王峰超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11