在材料层中形成开口的方法技术

制造半导体器件的方法包括在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴，沿着HM芯轴的侧壁形成第一间隔件，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件并且在HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层。在第一线开口内暴露HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件的第一部分。该方法也包括通过第一线开口去除第一间隔件的第一部分以暴露材料层的第一部分并且通过使用HM芯轴和第二间隔件的暴露的第一部分作为子蚀刻掩模蚀刻材料层的暴露的第一部分以在材料层中形成第一开口。本发明专利技术的实施例还涉及在材料层中形成开口的方法。

Method for forming an opening in a material layer

A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a hard mask material layer along the first direction (HM) along the side wall of the core shaft, HM shaft forming a first spacer, a photoresist layer along the sidewalls of the first spacer formed second spacers and having a patterned opening in the first line of HM core shaft, a first spacer and second above the spacers formed. The first portion of the HM mandrel, the first spacer and the second spacer are exposed within the first line opening. The method also includes removing the first portion of the first spacer material layer to expose the first part and through the use of HM core and the first part exposed second spacer part exposed as sub etching mask etching material layer on the material layer to form a first opening through the first opening. Embodiments of the present invention also relate to methods for forming openings in a material layer.

【技术实现步骤摘要】
在材料层中形成开口的方法
本专利技术的实施例涉及在材料层中形成开口的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC设计和材料中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小已经增加了处理和制造IC的复杂性。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。虽然现有的制造IC器件的方法对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。例如，用弛豫光刻工艺形成更小的部件中的改进是期望的。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种在材料层中形成开口的方法，包括：在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴；沿着所述硬掩模芯轴的侧壁形成第一间隔件；沿着所述第一间隔件的侧壁形成第二间隔件；在所述硬掩模芯轴、所述第一间隔件和所述第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层，其中，所述第一线开口沿着垂直于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在材料层中形成开口的方法，包括：在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴；沿着所述硬掩模芯轴的侧壁形成第一间隔件；沿着所述第一间隔件的侧壁形成第二间隔件；在所述硬掩模芯轴、所述第一间隔件和所述第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层，其中，所述第一线开口沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸，其中，在所述第一线开口内暴露所述硬掩模芯轴、所述第一间隔件和所述第二间隔件的第一部分；通过所述第一线开口去除所述第一间隔件的所述第一部分以暴露所述材料层的第一部分；以及通过使用所述硬掩模芯轴和所述第二间隔件的暴露的第一部分作为子蚀刻掩模蚀刻所述材料层的暴露的第一部分以在所述材料层中形成第...

【技术特征摘要】
2016.03.17 US 15/072,5491.一种在材料层中形成开口的方法，包括：在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴；沿着所述硬掩模芯轴的侧壁形成第一间隔件；沿着所述第一间隔件的侧壁形成第二间隔件；在所述硬掩模芯轴、所述第一间隔件和所述第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：严永松，刘如淦，黄介志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71