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制造半导体器件的方法包括在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴，沿着HM芯轴的侧壁形成第一间隔件，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件并且在HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层。在第一线开口内暴露H...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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