周边曝光装置制造方法及图纸

一种周边曝光装置，其用于对半导体基板(100)的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源(1)，其设置为能够对外周部照射光；以及反射镜(2)，其具有反射面(2A)，该反射面(2A)配置为沿与从光源(1)照射的光的光轴交叉的方向进行延伸。反射镜(2)设置为在对半导体基板(100)的外周部进行曝光时，在半导体基板(100)的径向上位于半导体基板(100)的中心(C)与外周部之间。

Peripheral exposure device

A peripheral exposure device, which is used for semiconductor substrate (100) peripheral part of the exposure, the peripheral exposure device has a light source (1), which are arranged to be peripheral light and mirror department; (2), having a reflective surface (2A), the reflector (2A) with along with the set from the light source (1) light axis cross direction extension. The mirror (2) is arranged to be located between the center (C) of the semiconductor substrate (100) and the periphery of the semiconductor substrate (100) when exposed to an outer periphery of the semiconductor substrate (100).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】周边曝光装置
本专利技术涉及一种用于对半导体基板的外周部进行曝光的周边曝光装置。
技术介绍
在半导体设备的制造工序中，通常对半导体基板实施多次光刻工序。在光刻工序中，形成用于对半导体基板之上的特定部位进行蚀刻或进行离子注入的掩模图案。该掩模图案是采用例如抗蚀剂等感光性材料而形成的。感光性材料通常通过旋转涂敷法而涂敷于半导体基板之上。关于旋转涂敷法，例如在旋转的半导体基板的中心之上滴下涂敷材料，通过离心力使涂敷材料进行涂敷展开。因此，在半导体基板的外周部也被涂敷了涂敷材料。此时，在半导体基板的外周部形成有斜面部(进行了倒角的倾斜部)的情况下，在斜面部之上也被涂敷了涂敷材料。由如上述那样在外周部、斜面部之上形成的感光性材料构成的掩模图案在对半导体基板进行收容的盒内、半导体制造装置内由于接触等而被破坏，成为碎粒的产生源。针对这样的问题，在日本特愿昭60-283613号(日本特开昭62-142321号公报)中，记载了针对在端部形成有由抗蚀剂堆成的部分的半导体基板而仅对该端部进行曝光的曝光装置。另外，在日本特愿平10-025183号(日本特开平11-214294号公报)中，记载了仅对SOI晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种周边曝光装置，其用于对半导体基板的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源，其设置为能够对所述外周部照射光；以及反射镜，其具有反射面，该反射面配置为沿与从所述光源照射的所述光的光轴交叉的方向进行延伸，所述反射镜设置为在对所述半导体基板的所述外周部进行曝光时，在所述半导体基板的径向上位于所述半导体基板的中心与所述外周部之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种周边曝光装置，其用于对半导体基板的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源，其设置为能够对所述外周部照射光；以及反射镜，其具有反射面，该反射面配置为沿与从所述光源照射的所述光的光轴交叉的方向进行延伸，所述反射镜设置为在对所述半导体基板的所述外周部进行曝光时，在所述半导体基板的径向上位于所述半导体基板的中心与所述外周部之间。2.根据权利要求1所述的周边曝光装置，其中，还具有检测部，该检测部能够对所述反射镜与所述半导体基板之间的距离进行检测。3.根据权利要求2所述的周边曝光装置，其中，还具有反射镜支撑台，该反射镜支撑台能够对所述反射镜进行支撑，所述反射镜支撑台具有反射镜可动部，该反射镜可动部能够变更所述反射面相对于所述光的所述光轴的角度。4.根据权利要求3所述的周边曝光装置，其中，所述检测部与所述反射镜支撑台的...

【专利技术属性】
技术研发人员：武田直幸，久我正一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP