当前位置: 首页 > 专利查询>张亚蒙专利>正文

半导体器件、电路组件及集成电路制造技术

技术编号:16302079 阅读:62 留言:0更新日期:2017-09-26 20:15
本发明专利技术涉及半导体器件、电路组件及集成电路。本发明专利技术提供了一种半导体器件,其包括:硅衬底;位于所述硅衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区;隔离结构,其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区;在所述硅衬底中位于所述第一、第二和第三掺杂区下方的第二导电类型的阱;以及毗邻所述第二掺杂区位于其下方的第一导电类型的第三掺杂区。其中所述第三掺杂区在所述硅衬底表面上的第一垂直投影落入所述第二掺杂区在所述硅衬底表面上的第二垂直投影中,所述第一垂直投影的面积小于所述第二垂直投影的面积;并且所述阱与所述第二掺杂区的底部的一部分以及所述第三掺杂区的底部的至少一部分接触。

Semiconductor device, circuit assembly, and integrated circuit

The invention relates to a semiconductor device, a circuit assembly, and an integrated circuit. The present invention provides a semiconductor device comprising: a silicon substrate; a first conductive type on the silicon substrate in the first doping area and second of the second conductivity type doped region; the isolation structure, which is used for isolating the first doped region and the second doped region; in the second conductive type under the first, second and the third doped region in the silicon substrate of the first conductivity type wells; and adjacent to the second doped region located below the third doped region. Which of the third doped region in the silicon substrate on the surface of the first vertical projection into the second doped region in the silicon substrate on the surface of the vertical projection area in second, the first vertical projection area is less than the second vertical projection; and the wells and the second doping area at the bottom the part and the third doped region at the bottom of at least a portion of the contact.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、电路组件及集成电路
本专利技术涉及半导体器件
,尤其涉及一种适用于高速数据信号接口的过电压保护或静电保护的半导体器件、包含所述半导体器件的电路组件及集成电路。
技术介绍
影响芯片成品率和可靠性的过压脉冲和静电脉冲来源有三种,第一种是来自人体,人触摸芯片管脚会把人体静电引入芯片中,打坏内部电路;第二种来自硅片制造设备,第三种来自芯片摩擦带电后,内部充电电荷的电荷泄放,它们引入的过压脉冲和静电脉冲都有机会打坏芯片内部电路,导致芯片失效。这三种静电在工业界和学术界上都有对应的理论模型,分别是人体模型(Humanbodymodel)机器模型(machinemodel)充放电模型(chargeddevicemodel)。每一个量产的芯片都需要有一个基本的过压脉冲和静电脉冲保护电路。保护电路的保护等级越高,芯片的成品率和可靠性就越高。二极管就是最典型的静电保护器件和过压保护器件。一般用在慢速芯片数据接口上,防止其内部电路被过压或静电脉冲打坏的二极管的电容值比较大,比如在电脑键盘接口芯片的数据口保护上使用的二极管的电容值可以是在30pF以上;但是对于保护类似USB2.0、VGA视本文档来自技高网...
半导体器件、电路组件及集成电路

【技术保护点】
一种半导体器件,包括:硅衬底;位于所述硅衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区;隔离结构,其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区;在所述硅衬底中位于所述第一、第二和第三掺杂区下方的第二导电类型的阱;以及毗邻所述第二掺杂区位于其下方的第一导电类型的第三掺杂区,其中所述第三掺杂区在所述硅衬底表面上的第一垂直投影落入所述第二掺杂区在所述硅衬底表面上的第二垂直投影中,所述第一垂直投影的面积小于所述第二垂直投影的面积;并且所述阱与所述第二掺杂区的底部的一部分以及所述第三掺杂区的底部的至少一部分接触。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,包括:硅衬底;位于所述硅衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区;隔离结构,其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区;在所述硅衬底中位于所述第一、第二和第三掺杂区下方的第二导电类型的阱;以及毗邻所述第二掺杂区位于其下方的第一导电类型的第三掺杂区,其中所述第三掺杂区在所述硅衬底表面上的第一垂直投影落入所述第二掺杂区在所述硅衬底表面上的第二垂直投影中,所述第一垂直投影的面积小于所述第二垂直投影的面积;并且所述阱与所述第二掺杂区的底部的一部分以及所述第三掺杂区的底部的至少一部分接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二垂直投影落入所述阱在所述硅衬底表面上的第三垂直投影中。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一和第二垂直投影均部分地落入所述阱在所述硅衬底表面上的第三垂直投影中。4.一种半导体器件,包括:硅衬底;位于所述硅衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区;隔离结构,其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区;毗邻所述第二掺杂区位于其下方的第一导电类型的第三掺杂区;在所述硅衬底中位于所述第一、第二和第三掺杂区下方的并排的第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱;以及在所述硅衬底中位于所述第一和第二阱下方的第二导电类型的第三阱,其中所述第一阱将所述第一掺杂区与所述第二阱隔离并且所述第二阱和所述第三阱一起将所述第一阱与所述硅衬底隔离,并且其中所述第三掺杂区在所述硅衬底表面上的第一垂直投影落入所述第二掺杂区在所述硅衬底表面上的第二垂直投影中,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:张亚蒙
申请(专利权)人:张亚蒙
类型:发明
国别省市:海南,46

相关技术
    暂无相关专利
网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1