一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路。本发明专利技术公开的静电放电ESD保护电路包括：主ESD保护电路、电阻和从ESD保护电路；其中，主ESD保护电路中至少包括一个高压N沟道MOS管，该高压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，该高压N沟道MOS管的漏极连接集成电路芯片的引脚焊盘PAD；从ESD保护电路中至少包括一个低压N沟道MOS晶体管，该低压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，该低压N沟道MOS管的漏极通过所述电阻连接到高压N沟道MOS管的漏极，并连接到集成电路芯片内部被保护的电路。本发明专利技术能够实现一种漏电电流较小的ESD保护电路，降低系统功耗，更好地满足低功耗系统的应用要求。

An electrostatic discharge ESD protection circuit applied to integrated circuits

The invention discloses an electrostatic discharge ESD protection circuit applied to an integrated circuit. ESD electrostatic discharge protection circuit of the invention comprises the main ESD protection circuit, protection circuit and resistance from ESD; the main ESD protection circuit including at least one N high voltage n-channel MOS tube, the high-voltage N channel gate, MOS tube source and the body is connected to the high voltage, N channel MOS tube drain connections of the integrated circuit chip pin pad PAD; including at least one N low voltage n-channel MOS transistor from ESD protection circuit, the low voltage N channel gate, MOS tube source and the body is connected to the low voltage, N channel MOS tube drain through the high voltage resistor is connected to the N channel MOS tube drain, and connected to the circuit inside the integrated circuit chip is protected. The invention can realize a ESD protection circuit with small leakage current, reduce the power consumption of the system and meet the application requirements of a low-power system.

【技术实现步骤摘要】
一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路
本专利技术涉及电子电路领域，尤其涉及一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路。
技术介绍
ESD(ElectrostaticDischarge，静电放电)是当今集成电路中最重要的可靠性问题之一。ESD现象主要能对电子器件造成以下的损坏：在半导体器件中由于介质击穿而导致氧化物薄膜破裂；由于EOS(ElectricalOverstress，电气过应力)引起过热导致金属导线熔化；由于寄生的PNPN结构而导致CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体)器件闭锁；使元器件结构中产生潜藏的缺陷，它们并不立即失效，但会引起断续的故障以及长期可靠性问题，这种损伤非常微弱，不易发现，即潜在损伤.集成电路工业由ESD导致的损失是一个非常严重的问题.ESD造成的失效机理主要热击穿和电击穿。ESD保护电路的作用是：当ESD脉冲出现后，能提供一条低阻抗的放电通路，并能够将电压钳位在一定水平。该通路对ESD脉冲的开启速度快于内部电路，对正常工作影响较小，包括较小漏电流、寄生、栓锁等。ESD保护电路在集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路，其特征在于，包括：主ESD保护电路、电阻和从ESD保护电路；所述主ESD保护电路中至少包括高压N沟道金属氧化物半导体场效应MOS管，所述高压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，所述高压N沟道MOS管的漏极连接集成电路的引脚焊盘PAD；所述从ESD保护电路中至少包括低压N沟道MOS晶体管，所述低压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，所述低压N沟道MOS管的漏极通过所述电阻连接到所述高压N沟道MOS管的漏极，并连接到所述集成电路内部被保护的电路。

【技术特征摘要】
1.一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路，其特征在于，包括：主ESD保护电路、电阻和从ESD保护电路；所述主ESD保护电路中至少包括高压N沟道金属氧化物半导体场效应MOS管，所述高压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，所述高压N沟道MOS管的漏极连接集成电路的引脚焊盘PAD；所述从ESD保护电路中至少包括低压N沟道MOS晶体管，所述低压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地，所述低压N沟道MOS管的漏极通过所述电阻连接到所述高压N沟道MOS管的漏极，并连接到所述集成电路内部被保护的电路。2.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述高压N沟道MOS管的工作电压高于或等于5V。3.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述低压N沟道MOS管的工作电压低于或等于1.8V。4.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述高压N沟道MOS管为高压N沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：安建宏，
申请(专利权)人：电信科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11