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本发明公开了一种应用于集成电路的静电放电ESD保护电路。本发明公开的静电放电ESD保护电路包括：主ESD保护电路、电阻和从ESD保护电路；其中，主ESD保护电路中至少包括一个高压N沟道MOS管，该高压N沟道MOS管的栅极、源极和体端连接到地...
该专利属于电信科学技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电信科学技术研究院授权不得商用。

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