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本发明涉及半导体器件、电路组件及集成电路。本发明提供了一种半导体器件，其包括：硅衬底；位于所述硅衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区；隔离结构，其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区；在所述硅衬底中位于所述第一、第二...
该专利属于张亚蒙所有，仅供学习研究参考，未经过张亚蒙授权不得商用。

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