一种抑制单粒子瞬态效应的反相器制造技术
An inverter that suppresses the transient effects of a single particle
The invention discloses a suppression of single event transient inverter, including: the first second NMOS pipe, NMOS pipe, PMOS pipe and the first second PMOS tube; first NMOS tube and PMOS tube connecting the first, second NMOS and second PMOS tube tube which are connected before and after the two level inverter structure; the output stage phase inverter the second source of PMOS is connected to a level inverter, one of second PMOS2 and second NMOS input connected to Vin, namely an inverter input. The inverter can further reduce the interference of the single particle transient effect on the inverter, while the circuit drive capability and the operating frequency of the circuit are not affected.
【技术实现步骤摘要】
一种抑制单粒子瞬态效应的反相器
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种抑制单粒子瞬态效应的反相器。
技术介绍
航天领域的不断发展，使得近年来各国出现了探索外围空间的热潮。航天较发达的国家都设定了各自的太空任务。如美国己提出再次登月计划，为2024年以前实现月球表面完成基地建设；俄罗斯则是在2040年前建造航天站、完成登月等；日本、印度及欧洲各国都设定了专门的航天目标，包括载人航天、空间站建设等。集成电路是各航天器的核心，其可靠性和性能直接决定航天器的安全和适用性。随着集成电路尺寸不断缩小，加之未来对航天器工作性能和工作时间要求越来越高，芯片的抗辐照能力将会成为关键因素之一。比如在探测月球和火星中，宇宙射线非常强，会对集成电路造成严重的辐照效应。为了解决航天技术不断进步带来的问题，世界各国都在努力开发能够适用于空间探测的集成电路。虽然我国集成电路水平仍处于比较落后阶段，抗辐照集成电路设计更是处于模仿阶段，但我国也在进行着努力。2013年，由我国航天502所与国防科技大学合作研究的SOC2012研制成功，该芯片是我国第一颗抗辐照四核并行SOC芯片。其速度和抗辐照能...
【技术保护点】
一种抑制单粒子瞬态效应的反相器，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；第一NMOS管与第一PMOS管连接，第二NMOS管与第二PMOS管连接构成前后两级的反相器结构；其中，后一级反相器中的第二PMOS的源极接前一级反相器的输出，后一级的第二PMOS2和第二NMOS的输入接Vin，即前一级反相器的输入。
【技术特征摘要】
1.一种抑制单粒子瞬态效应的反相器，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；第一NMOS管与第一PMOS管连接，第二NMOS管与第二PMOS管连接构成前后两级的反相器结构；其中，后一级反相器中的第二PMOS的源极接前一级反相器的输出，后一级的第二PMOS2和第二NMOS的输入接Vin，即前一级反相器的输入。2.根据权利要求1所述的一种抑制单粒子瞬态效应的反相器，其特征在于，第一PMOS的管栅极与第一NMOS管的栅极连接后接Vin，第一PMOS管的漏极与第一NMOS的源极连接，第一PMOS的管源极接VDD，第一NMOS的管漏极接GND，从而构成前一级反相器；第二PMOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴秀龙，彭春雨，杨志平，蔺智挺，黎轩，李正平，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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