温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种抑制单粒子瞬态效应的反相器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；第一NMOS管与第一PMOS管连接，第二NMOS管与第二PMOS管连接构成前后两级的反相器结构；其中，后一级反相器中的第二P...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。