一种半导体器件及其制造方法、电子装置制造方法及图纸

技术编号:16234537 阅读:47 留言:0更新日期:2017-09-19 15:24
本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置,所述方法包括:提供半导体衬底,实施源漏注入并退火,以在半导体衬底中形成源漏注入区;在源漏注入区上形成图案化的硬掩膜层,并蚀刻未被所述硬掩膜层遮蔽的源漏注入区,直至露出半导体衬底;在通过所述蚀刻形成的沟槽的侧壁上形成侧墙;形成栅极结构,以完全填充所述沟槽的其余部分;去除侧墙和硬掩膜层后,实施LDD注入,以在栅极结构两侧的半导体衬底中形成LDD注入区;形成接触孔蚀刻停止层,覆盖栅极结构和半导体衬底。根据本发明专利技术,实施LDD注入能够得到更浅的LDD注入区域,以有效抑制短沟道效应;同时在沟道区域能获得更大的应力,从而显著提升MOS器件的性能。

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device

The present invention provides a semiconductor device and its manufacturing method, electronic device, the method includes: providing a semiconductor substrate, the source drain injection and annealing to form source drain injection regions in a semiconductor substrate; forming a patterned region in the source and drain into the hard mask layer, and etching the hard mask layer is not from the source drain implantation region to expose the semiconductor substrate; forming a side wall in the side wall of the trench and etched on; forming a gate structure, to rest completely fill the trench; remove the side wall and the hard mask layer after the implementation of LDD injection to the semiconductor substrate in the two sides of the gate structure the formation of LDD injection zone; contact hole forming an etch stop layer covering the gate structure and a semiconductor substrate. In accordance with the present invention, the implementation of the LDD injection allows a shallower LDD injection region to effectively suppress the short channel effect while achieving greater stress in the channel region, thereby significantly improving the performance of the MOS device.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体制造工艺,具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。
技术介绍
随着MOS器件的特征尺寸的不断减小,在其制造过程中,对于MOS器件的足够有效的沟道长度的控制变得愈发具有挑战性。为此,采用在MOS器件中形成超浅结和突变结的方法,可以改善核心器件的短沟道效应。然而,在形成超浅结和突变结的过程中,如何在抑制短沟道效应和提升MOS器件的性能之间找到更为合理的均衡点也是极负挑战性的任务。因此,需要提出一种方法,以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,实施源漏注入并退火,以在所述半导体衬底中形成源漏注入区;在所述源漏注入区上形成图案化的硬掩膜层,并蚀刻未被所述硬掩膜层遮蔽的所述源漏注入区,直至露出所述半导体衬底;在通过所述蚀刻形成的沟槽的侧壁上形成侧墙;形成栅极结构,以完全填充所述沟槽的其余部分;去除所述侧墙和所述硬掩膜层后,实施LDD注入,以在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成LDD注入区。在一个示例中,所述栅极结构的高度大于所述沟槽的深度。在一个示例中,所述本文档来自技高网...
一种半导体器件及其制造方法、电子装置

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,实施源漏注入并退火,以在所述半导体衬底中形成源漏注入区;在所述源漏注入区上形成图案化的硬掩膜层,并蚀刻未被所述硬掩膜层遮蔽的所述源漏注入区,直至露出所述半导体衬底;在通过所述蚀刻形成的沟槽的侧壁上形成侧墙;形成栅极结构,以完全填充所述沟槽的其余部分;去除所述侧墙和所述硬掩膜层后,实施LDD注入,以在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成LDD注入区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,实施源漏注入并退火,以在所述半导体衬底中形成源漏注入区;在所述源漏注入区上形成图案化的硬掩膜层,并蚀刻未被所述硬掩膜层遮蔽的所述源漏注入区,直至露出所述半导体衬底;在通过所述蚀刻形成的沟槽的侧壁上形成侧墙;形成栅极结构,以完全填充所述沟槽的其余部分;去除所述侧墙和所述硬掩膜层后,实施LDD注入,以在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成LDD注入区。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述栅极结构的高度大于所述沟槽的深度。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述栅极结构包括自下而上层叠的栅极介电层和栅极材料层。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述侧墙和所述硬掩膜层的构...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵猛
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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