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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，实施源漏注入并退火，以在半导体衬底中形成源漏注入区；在源漏注入区上形成图案化的硬掩膜层，并蚀刻未被所述硬掩膜层遮蔽的源漏注入区，直至露出半导体衬底；在通过所述蚀刻...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。