半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法，其包括形成鳍结构于基板之上，及形成绝缘层于鳍结构周围。半导体装置的形成方法更包括移除部分鳍结构以于绝缘层中形成一沟槽，并以半导体材料填充沟槽。半导体装置的形成方法更包括回流半导体材料以形成纳米线结构及空腔于纳米线结构之下。

Method for forming semiconductor device

A method of forming a semiconductor device includes forming a fin structure above the substrate and forming an insulating layer around the fin structure. A method of forming a semiconductor device includes removing a portion of the fin structure to form a trench in the insulating layer and filling the trench with semiconductor material. A method of forming a semiconductor device includes, in addition, a reflow semiconductor material to form a nanowire structure and a cavity under a nanowire structure.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本揭露系有关于一种半导体装置的形成方法，且特别有关于一种低缺陷半导体装置的形成方法。
技术介绍
半导体元件被应用在多种电子应用上，例如个人电脑、手机、数位相机，及其他电子设备。半导体元件通常依序沉积绝缘层或介电层，导电层，以及半导体材料层在半导体基板上，再以微影工艺将各材料层图案化以于基板上形成电路元件及单元。改善半导体结构效能的重要驱动力之一为电路的高端整合，此可藉由于给定的晶片上微型化或缩小元件尺寸来达成。举例来说，鳍式场效电晶体(FinFET)结构及纳米线场效电晶体(nanowireFET)结构用以增加半导体结构的整合密度。然而，虽然现有工艺用以制造鳍式场效电晶体结构及纳米线场效电晶体对于原目的来说已经足够，但当元件继续缩小，其并非在各个面向皆令人满意。
技术实现思路
一种半导体装置的形成方法，包括：形成鳍结构于基板之上，形成绝缘层于鳍结构周围，移除鳍结构的一部分以于绝缘层形成沟槽，并以半导体材料填充沟槽。回流该半导体材料以形成纳米线结构及位于纳米线结构之下的空腔。附图说明以下将配合所附图式详述本揭露之各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的形成方法，包括:形成一鳍结构于一基板之上；形成一绝缘层于该鳍结构周围；移除该鳍结构的一部分以于该绝缘层中形成一沟槽；以一半导体材料填充该沟槽；以及回流该半导体材料以形成一纳米线结构及一空腔于该纳米线结构之下。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/063,0221.一种半导体装置的形成方法，包括:形成一鳍结构于一基板之上；形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱戴恩·杜瑞茲，乔滋尔斯·凡里恩提斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71