鳍式场效应晶体管的形成方法技术
Method for forming fin type field effect transistor
A method includes forming a fin field effect transistor: providing a semiconductor substrate having a fin on the semiconductor substrate; forming a pseudo gate dielectric layer across the fin and the pseudo gate electrode pseudo gate dielectric layer on the surface of the semiconductor substrate; and the fin is formed on the side wall covering the pseudo gate dielectric layer and a gate electrode layer between the pseudo dielectric layer; removing the dummy gate electrode, forming an opening; after the openings are formed, followed by UV curing treatment and fluorine atmosphere annealing. The method can improve the electrical performance of a fin type field effect transistor.
【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应晶体管的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管的形成方法。
技术介绍
MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管，是现代集成电路中最重要的元件之一，MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏区。随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏区。随着特征尺寸的进一步减小，需要形成横跨鳍部的金属栅极结构以进一步的降低鳍式场效应晶体管的漏电流，有效改善栅极驱动能力。通常采用后栅工艺形成具有金属栅极结构的鳍式场效应晶体管，即先形成横跨鳍部的伪栅极结构，待形成源漏区后，去除伪栅极结构，形成开口，然后在所述开口中填充金属栅极结构。然而，现有技术中形成的鳍式场效应晶体管的电学性能较差。
技术实现思路
本...
【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅电极；在所述半导体衬底和鳍部上形成覆盖所述伪栅介质层和伪栅电极的侧壁的层间介质层；去除所述伪栅电极，形成开口；形成所述开口后，依次进行紫外线固化处理和氟气氛退火处理。
【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；形成横跨所述鳍部的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅电极；在所述半导体衬底和鳍部上形成覆盖所述伪栅介质层和伪栅电极的侧壁的层间介质层；去除所述伪栅电极，形成开口；形成所述开口后，依次进行紫外线固化处理和氟气氛退火处理。2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述紫外线固化处理的工艺参数为：固化温度为350摄氏度～850摄氏度，紫外光源功率为1mW/cm2～200mW/cm2，固化时间为20min～200min。3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述氟气氛退火处理的工艺参数为：采用的气体为F2，温度为350摄氏度～800摄氏度，腔室压强为5E5帕～20E5帕，时间为5min～100min。4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅电极的工艺为干刻工艺或湿刻工艺。5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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