真空管闪存结构之制造方法技术

本发明专利技术提出了一种真空管闪存结构及其制造方法，在沟道中形成真空，并且采用氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构作为栅介电层，其中，氮化物能够很好的束缚电荷，从而为栅极和真空之间提供绝缘阻挡作用。由于采用了氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构作为栅介质层，能够使形成的器件具有更好的程序设计、擦除速度及储存时间，同样还能够提高优越的栅极控制能力及极小的栅极漏电流。

Manufacturing method of vacuum tube flash memory structure

The invention provides a vacuum tube flash memory structure and manufacturing method thereof, forming a vacuum in the channel, and the composite structure of oxide nitride oxide as the gate dielectric layer, the nitride can bound charge well, thus providing an insulation barrier effect between gate and vacuum. As a result of the nitride oxide composite oxide as gate dielectric layer structure, program design, can make the device has better erasing speed and storage time, also can improve the superior gate control ability and minimum gate leakage current.

【技术实现步骤摘要】
真空管闪存结构之制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种真空管闪存结构及其制造方法。
技术介绍
真空管(VacuumTube)是一种电子器件，在电路中控制电子的流动。参与工作的电极被封装在一个真空的容器内(管壁大多为玻璃)，因而得名。在二十世纪中期前，因半导体尚未普及，基本上当时所有的电子器材均使用真空管，形成了当时对真空管的需求。但在半导体技术的发展普及和平民化下，真空管因成本高、不耐用、体积大、效能低等原因，最后被半导体取代了。但是可以在音响、微波炉及人造卫星的高频发射机看见真空管的身影。部份战斗机为防止核爆造成的电磁脉冲损坏，机上的电子设备亦采用真空管，真空管结构如图1所示，其包括栅极1、集极3、射极2及发热电阻丝5，电子4由射极2流向集极3。早期的电子器件中真空管用来放大、开关或调节电信号。然而，随着半导体技术的发展，几十年以来，固态器件已经取代了真空管，例如金氧半场效晶体管(MOSFET)、双极接面晶体管(BJT)及二极管。然而，真空管依然在音响系统和高功率无线电基站使用。这是由于真空管比固态器件的环境耐性更好，可以在高温及各种辐射环境中使用。真空原理上是优于固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成介电层、源极层、第二介电层、栅极层和硬掩膜层；图案化处理所述第二介电层、栅极层和硬掩膜层形成栅极结构；修剪栅极结构中的第二介电层和栅极层，使剩余第二介电层和栅极层的宽度小于硬掩膜层；沉积栅介电层于整个衬底上并进行栅介电层侧壁子蚀刻；沉积漏极层；沉积层间介电层于整个衬底上并进行平坦化以在所述栅极中形成真空。

【技术特征摘要】
1.一种真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成介电层、源极层、第二介电层、栅极层和硬掩膜层；图案化处理所述第二介电层、栅极层和硬掩膜层形成栅极结构；修剪栅极结构中的第二介电层和栅极层，使剩余第二介电层和栅极层的宽度小于硬掩膜层；沉积栅介电层于整个衬底上并进行栅介电层侧壁子蚀刻；沉积漏极层；沉积层间介电层于整个衬底上并进行平坦化以在所述栅极中形成真空。2.如权利要求1所述的真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，更包含在层间介电层进行平坦化后，采用高温退火对所述源极层和漏极层进行处理，使其变为圆柱形。3.如权利要求2所述的真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，所述高温退火使用的气体为He、N2、Ar或者H2。4.如权利要求2所述的真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，所述高温退火的温度范围是在600～1000℃之间。5.如权利要求2所述的真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，所述栅极中的真空内的气压范围是0.1torr～50torr。6.如权利要求1所述的真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，所述源极层和漏极层材质为Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Pd、Cu、Al、Ga、In、Ti、TiN、TaN、C、及其组合。7.如权利要求1所述的真空管闪存结构的制造方法，其特征在于，所述栅极层材质为Al、多晶硅、Cu、Ga、In...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31