鳍式场效应晶体管的形成方法技术

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有N型边缘区和P型边缘区，所述N型边缘区和P型边缘区的半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的伪栅介质层和覆盖伪栅介质层的伪栅电极、以及覆盖伪栅介质层和伪栅电极的侧壁和所述鳍部的层间介质层；去除N型边缘区的伪栅电极，形成第一开口；对第一开口底部的伪栅介质层进行氮等离子体处理；氮等离子体处理后，去除P型边缘区的伪栅电极，形成第二开口；形成第二开口后，进行氟气氛退火处理；氟气氛退火处理后，在所述第一开口和第二开口中形成金属栅极结构。所述方法使得提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。

Method for forming fin type field effect transistor

A method includes forming a fin field effect transistor: providing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate has the edge area and edge area of P type N type, a fin, pseudo gate dielectric layer across the fin and dummy gate electrode, the gate dielectric layer and covering the pseudo side wall covering pseudo gate dielectric the pseudo layer and the gate electrode and the fin interlayer dielectric layer is formed on a semiconductor substrate of N type and P type fringe edge region on the gate electrode; pseudo removal N edge area, the first opening is formed on the gate dielectric layer; pseudo first opening at the bottom of the nitrogen plasma treatment; nitrogen plasma treatment after removal of P pseudo gate electrode edge region, the formation of the second opening; the second opening is formed after annealing treatment of fluorine; fluorine atmosphere after annealing treatment in the first and second openings formed in the metal gate structure. The method improves the electrical performance of the fin type field effect transistor.

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应晶体管的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管的形成方法。
技术介绍
MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管，是现代集成电路中最重要的元件之一，MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏区。随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，它一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁的栅极结构，位于栅极结构两侧的鳍部中的源漏区。然而现有技术形成的鳍式场效应晶体管的电学性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，以提高鳍式场效应晶体管的电学性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有N型边缘区和P型边缘区，所述N型边缘区和P型边缘区的半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的伪栅介质层和覆盖伪栅介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有N型边缘区和P型边缘区，所述N型边缘区和P型边缘区的半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的伪栅介质层和覆盖伪栅介质层的伪栅电极、以及覆盖伪栅介质层和伪栅电极的侧壁和所述鳍部的层间介质层；去除N型边缘区的伪栅电极，形成第一开口；对第一开口底部的伪栅介质层进行氮等离子体处理；氮等离子体处理后，去除P型边缘区的伪栅电极，形成第二开口；形成第二开口后，进行氟气氛退火处理；氟气氛退火处理后，在所述第一开口和第二开口中形成金属栅极结构。

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有N型边缘区和P型边缘区，所述N型边缘区和P型边缘区的半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的伪栅介质层和覆盖伪栅介质层的伪栅电极、以及覆盖伪栅介质层和伪栅电极的侧壁和所述鳍部的层间介质层；去除N型边缘区的伪栅电极，形成第一开口；对第一开口底部的伪栅介质层进行氮等离子体处理；氮等离子体处理后，去除P型边缘区的伪栅电极，形成第二开口；形成第二开口后，进行氟气氛退火处理；氟气氛退火处理后，在所述第一开口和第二开口中形成金属栅极结构。2.根据权利要求1所述鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述氮等离子体处理的参数为：采用的气体为N2，N2的流量为50sccm～120sccm，等离子体化功率为300瓦～1500瓦，处理时间为10秒～30秒，腔室压强为10mtorr～30mtorr。3.根据权利要求1所述鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述氟气氛退火处理的参数为：采用的气体为F2，温度为350摄氏度～800摄氏度，腔室压强为5E5帕～20E5帕，处理时间为3分钟～50分钟。4.根据权利要求1所述鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅介质层的材料为氧化硅。5.根据权利要求1所述鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅介质层的厚度为15埃～50埃。6.根据权利要求1所述鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除N型边缘区的伪栅电极和去除P型边缘区的伪栅电极的方法为干刻工艺或者湿刻工艺。7.根据权利要求1所述鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属栅极结构包括位于所述第一开口和第二开口的侧壁和底部的栅介质层和位于所述栅介质层表面的金属栅电极。8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底还具有P型核心区，所述N型边缘区、P型边缘区和P型核心区的半导体衬底上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31