一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，该阵列基板的制作方法包括：在基板上制作第一金属层；采用第一张光罩对第一金属层进行刻蚀工艺以形成栅极；在第一金属层上依次制作栅极绝缘层、有源层和第二金属层；采用第二张光罩对第二金属层和有源层进行刻蚀工艺以形成源极、漏极和像素电极。通过上述方式，本发明专利技术能够在阵列基板的制作制程中只需要两道光罩，提高了生产效率，降低了产品生产的成本。

Array substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and manufacturing method of the array substrate includes: making the first metal layer on the substrate; the first mask etching process on the first metal layer to form a gate; on the first metal layer sequentially making a gate insulating layer, an active layer and a second metal layer second to second; the mask layer and the active layer of the metal etching process to form the source electrode and the drain electrode and the pixel electrode. Through the above method, the invention can only need two reticle in the manufacture process of the array substrate, thereby improving the production efficiency and reducing the production cost of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板。
技术介绍
显示行业一直将提高显示品质，降低生产成本作为制胜的关键因素。并且随着技术的发展，各种工艺技术也在不断的提高，所能进行的工艺精细程度也越来越高，这体现在像素的关键尺寸可以越做越小。并且人们追求显示品质也有了一定的改变，不再单纯追求高亮度高度比，而对视角、色彩空间加更注重。在这些显示技术中，VA(VerticalAlignment，垂直配向)无疑是一个非常好的选择。但是传统的VA像素工艺制程相对比较多，至少需要四道制程，包括M1(第一金属层)、activelayer(有源层)与M2(第二金属层)、PV(有机层)及像素电极。这对于大量生产来说，成本也就相对比较高。半导体显示技术如果减少制程道次，相对来说就能降低生产成本。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板，能够在阵列基板的制作制程中只需要两道光罩，提高了生产效率，降低了产品生产的成本。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上制作第一金属层；采用第一张光罩对所述第一金属层进行刻蚀工艺以形成栅极；在所述第一金属层上依次制作栅极绝缘层、有源层和第二金属层；采用第二张光罩对所述第二金属层和所述有源层进行刻蚀工艺以形成源极、漏极和像素电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上制作第一金属层；采用第一张光罩对所述第一金属层进行刻蚀工艺以形成栅极；在所述第一金属层上依次制作栅极绝缘层、有源层和第二金属层；采用第二张光罩对所述第二金属层和所述有源层进行刻蚀工艺以形成源极、漏极和像素电极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二金属层采用抗氧化金属材料制得，且所述第二金属层裸露在所述阵列基板与彩膜基板之间的液晶层中。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用第一张光罩对所述第一金属层进行刻蚀工艺以形成栅极，包括：在所述第一金属层上涂覆光刻胶；采用第一张光罩对所述光刻胶进行曝光显影；对所述第一金属层进行刻蚀，以形成栅极。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层上依次制作栅极绝缘层、有源层和第二金属层，包括：在所述第一金属层上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作半导体层，并在所述半导体层的表面进行离子注入，以形成离子注入层；在所述离子注入层上制作第二金属层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述采用第二张光罩对所述第二金属层和所述有源层进行刻蚀工艺以形成源极、漏极和像素电极，包括：在所述第二金属层上涂覆光刻胶；采用第二张光罩对所述光刻胶进行曝光显影；对所述第二金属层、所述半导体层以及所述离子注入层进行刻蚀，以形成源极、漏极以及像素电极。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述曝光显影后的光刻胶覆盖对应所述栅极；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘启明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44