【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。尤其涉及成形性及耐磨耗性优异,纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。本专利技术的研磨垫可广泛利用于半导体装置的制造中。尤其适合于对半导体晶片等的表面进行化学机械研磨等。
技术介绍
近年来,作为形成平坦面的方法,化学机械研磨受人注目。CMP是,边擦动研磨垫和被研磨面,边把分散有研磨剂的水系分散体的浆液供给到研磨垫表面,使在研磨垫表面开口的孔(以下叫做气孔)中滞留浆液进行研磨。本专利技术人发现使用含有交联共聚物的研磨垫用组合物的研磨垫能够发挥优异的性能。该技术已在特开2001-334455号公报中公开。除此之外的关于研磨垫的技术在特表平8-500622号公报、特开2000-34416号公报、特开2000-33552号公报、特开2000-34416号公报等中公开。但是,需要进一步提高各项性能的研磨垫。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述实情进行的,目的在于提供成形性及耐磨耗性优异,纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。将本专利技术示于以下。第一个观点的研磨垫用组合物是,含有非水溶 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:保坂幸生,冈本隆浩,长谷川亨,川桥信夫,森野克昭,
申请(专利权)人:JSR株式会社,
类型:发明
国别省市:
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