研磨用组合物和研磨方法技术

本发明专利技术提供相对于多晶硅膜可选择性地研磨硅氧化膜的研磨用组合物，以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明专利技术的研磨用组合物含有选自二氧化硅和铈土的磨粒；选自氨、铵盐、碱金属和碱金属氢氧化物的碱；以及选自聚氧乙烯改性硅油、聚（氧乙烯氧丙烯）改性硅油、环氧基／聚醚改性硅油、和氨基／聚醚改性硅油的有机改性硅油。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及主要在研磨硅氧化膜用途、特别是在研磨设置于多晶硅 膜上的硅氧化膜的用途中使用的研磨用组合物，以及使用该研磨用组合 物的研磨方法。
技术介绍
在半导体元件分离技术之一的STI (浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation))技术中，通过CMP (化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing))使设置于硅基板上的硅氧化膜实现平坦化。当然希望该STI 用的CMP浆料对硅氧化膜的研磨速度高，除此以外，也希望例如可防 止设置于元件区域的多晶硅膜被CMP除去、对多晶硅膜的研磨速度低。 即，希望相对于多晶硅膜可选择性地研磨硅氧化膜。本专利技术相关的现有技术文献可列举以下的专利文献1、 2。国际公开第00/39S43号公报日本特表2001-501369号公报
技术实现思路
本专利技术针对上述情况而设，其目的在于提供相对于多晶硅膜可以选 择性地研磨硅氧化膜的研磨用组合物，以及使用该研磨用组合物的研磨 方法。为实现上述目的，本申请第l专利技术提供一种研磨用组合物，该研磨用组合物含有选自二氧化硅和铈土的磨粒；选自氨、铵盐、碱金属盐和 碱金属氢氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
研磨用组合物，其特征在于：该研磨用组合物含有选自二氧化硅和铈土的磨粒；选自氨、铵盐、碱金属盐和碱金属氢氧化物的碱；选自聚氧乙烯改性硅油、聚（氧乙烯氧丙烯）改性硅油、环氧基／聚醚改性硅油、和氨基／聚醚改性硅油的有机改性硅油。

【技术特征摘要】
JP 2006-11-24 2006-3173801.研磨用组合物，其特征在于该研磨用组合物含有选自二氧化硅和铈土的磨粒；选自氨、铵盐、碱金属盐和碱金属氢氧化物的碱；选自聚氧乙烯改性硅油、聚(氧乙烯氧丙烯)改性硅油、环氧基/聚醚改性硅油、和氨基/...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水干和，中岛武彦，伊藤隆，平光亚衣，
申请(专利权)人：福吉米股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]