本发明专利技术提供一种可以制造半导体装置的耐热性胶粘带，其通过耐热性胶粘带很好地防止密封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的胶带不易在一系列的工序或胶带的剥离工序中带来障碍。该半导体装置制造用耐热性胶粘带是在半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带，所述半导体装置的制造方法至少具有如下工序：在金属制引线框的管芯焊盘上键合半导体芯片的载置工序，所述金属制引线框在外焊盘一侧贴合了耐热性胶粘带、用密封树脂将半导体芯片侧单面密封的密封工序、和将密封的结构物切断成单个的半导体装置的切断工序，其中上述耐热性胶粘带具有基材层、和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于制造半导体装置的耐热性胶粘带。
技术介绍
近年，在LSI的组装技术中，CSP (芯片尺寸级封装)技术受到瞩 目。该技术中，对于以QFN (无引线四方扁平封装)为代表的引线端子 引入到封装内部的形态的封装，是在小型化和高集成方面特别受瞩目的 封装形态之一。这样的QFN的制造方法中，近年来，下述制造方法特 别受瞩目，即，将多个QFN用芯片整齐地排列在引线框的封装图案区 域的管芯焊盘上，在模具的模腔内用密封树脂一并密封后，通过切断切 分成单个的QFN结构物，从而飞跃性地提高引线框单位面积的生产性。在这样的将多个半导体芯片一并密封的QFN制造方法中，在树脂 密封时由模塑模具锁住的区域只是扩展到封装图案区域更外侧的树脂 密封区域的外侧。因此在封装图案区域，特别是其中央部分，不能以充 分的压力将外引线面压在模塑模具上，抑制密封树脂漏出到外引线一侧 是非常困难的，并容易产生QFN的端子等被树脂覆盖的问题。因此，对于如上所述的QFN的制造方法，在引线框的外引线一側 贴附耐热性胶粘带，并通过利用了该耐热性胶粘带的自胶粘力(遮挡) 的密封效果而在树脂密封时防止树脂向外引线一侧泄漏的制造方法被 认为是特别有效的。在这样的制造方法中，在引线框上栽置半导体芯片后或者在实施了 引线键合之后进行耐热性胶粘带的贴合，在操作方面实质上是困难的， 因此希望耐热性胶粘带在最初阶段贴合在引线框的外焊盘面上，然后经 过半导体芯片的栽置工序和引线键合的工序， 一直贴合到采用密封树脂 的密封工序。因此，作为耐热性胶粘带，不仅只是防止密封树脂的漏出，而且要求耐受半导体芯片的栽置工序的高度的耐热性、以及不会对引线 键合工序中的纤细的操作性带来障碍等满足这些所有工序的特性。作为满足该要求的胶带，开发了耐热性胶粘带(专利文献l)。但是，在进行引线鍵合、树脂密封等工序的高温时，胶粘剂难以发挥以往的胶粘特性，对被粘附物的粘附力显著降低。因此，由于引线键 合时的沖击等，胶粘带从被粘附物上剥离，结果在树脂密封时有时会产 生密封树脂泄漏到引线框/胶粘带之间等问题。专利文献l:特开2004-14930号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题进行的，其目的在于提供一种可以制造半导 体装置的耐热性胶粘带，该胶粘带在近年的精密QFN中，即使是对于 同时密封特别多的封装的大型矩阵图案类型，也通过耐热性胶粘带很好 地防止在密封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的胶带不易在一系列的工序 或胶带的剥离工序中带来障碍。本申请的专利技术人等为了解决上述以往的问题，对耐热性胶粘带的物 性、材料、厚度等进行了深入研究。结果发现，通过使用由基材层、和现上述目的，以至完成了本专利技术。'—、、'、 ° '《即，本专利技术涉及一种半导体装置制造用耐热性胶粘带，其是在半导 体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带，所述半导体装置的制造方法 至少具有如下工序在金属制引线框的管芯焊盘上键合半导体芯片的栽 置工序，所述金属制引线框在外焊盘一侧贴合了耐热性胶粘带；用密封 树脂将半导体芯片侧单面密封的密封工序、和将密封的结构物切断成单 个的半导体装置的切断工序，其中上述耐热性胶粘带具有基材层、和包 含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。在上述半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带优选在175°C 气氛下测定的粘附力为0.2N/19mm宽以上。在上述半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带优选以粘附 在不锈钢板上的状态在200。C下加热1小时后，基于JISZ0237测定的粘 附力为5.0N/19mm宽以下。测定在常温(23°C)进行。专利技术效果本专利技术的耐热性胶粘带可以很好地防止在密封工序中的树脂泄 漏，通过使用亲水性层状硅酸盐，提高胶粘剂的凝聚力，并可以保持在 半导体制造工序中的温度气氛下对被粘附物的粘附力。另外，即使在200。c左右的高温加热处理后，也可以从被粘附物上剥离而不会留下残胶。此外，通过使用在高温加热处理时也不易分解的含有共聚物乳液的水分 散型丙烯酸类胶粘剂，可以减少气体的发生量。气体发生量的降低可以 抑制半导体芯片的污染，并可以降低剥离力，因此剥离性优异，并且不 会在被粘附物上留下残胶。可以制造通过耐热性胶粘带很好地防止在密 封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的耐热性胶粘带不易在一系列的工序或 胶带的剥离工序中带来障碍的半导体装置。附图说明图1是示出本专利技术的半导体装置的制造方法的一例的工序图。图2是示出本专利技术的引线框的一例的图，(a)是主视图、(b)是 主要部分放大图、(c)是示出树脂密封后的状态的纵向剖面图。 图3是示出本专利技术的树脂密封工序的一例的纵向剖面图。符号说明10引线框11封装图案区域lla开口lib端子部lie管芯焊盘liddamber12模腔13导销用孔15半导体芯片15a电极焊盘16键合用导线17密封树脂17a切断部18模具18a上模具18b下模具19导电糊20耐热性胶粘带20a基材层20b胶粘层21 被密封的结构物21a半导体装置具体实施例方式本专利技术的耐热性胶粘带包含基材层、和包含亲水性层状硅酸盐和胶 粘剂的胶粘层。作为基材层的材料，只要是成为胶粘层的基部的材料即 可，没有特别限定，例如可列举聚酰亚胺(PI)膜、聚对苯二甲酸乙二 醇酯(PET)膜、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)膜、聚醚砜(PES)膜、 聚醚酰亚胺(PEI)膜、聚砜(PSF)膜、聚苯疏醚(PPS)膜、聚醚醚 酮(PEEK)膜、聚芳酯(PAR)膜、芳族聚酰胺膜、液晶聚合物(LCP) 等树脂材料。为了防止折断或裂开，基材膜的厚度优选为5pm以上，鉴于适当的 操作性，更优选为10-100pm。本专利技术的胶粘层的特征在于，含有亲水性层状硅酸盐和胶粘剂。上述胶粘层含有亲水性层状硅酸盐。所谓亲水性层状硅酸盐，是指 主要通过具有二维结构的粘土层重叠而形成结晶结构的粘土矿物。亲水 性层状硅酸盐不仅具有通过加入到溶剂中而膨润，从而扩大各层间距离 的特性，还具有可以在层间以保持该结构的状态引入离子或分子的特 性。本专利技术中使用的亲水性层状硅酸盐，只要是可以在水分散型丙烯酸 类胶粘剂中分散的亲水性层状硅酸盐即可，没有特别限定，例如可列举 蒙脱石、鸟石、锌蒙脱石、硅镁石(stevensite)、锂蒙脱石、珍珠云母、 滑石、金云母、纤蛇紋石、绿泥石、蛭石、高呤石、白云母、缘脆云母 (xanthophyllite)、地开石、珍珠陶土、叶蜡石、绿土、贝得石、嚢脱石、 tetrasilidc mica、钠带云母、叶蛇紋石、埃洛石等。上述亲水性层状珪 酸盐可以是天然物或合成物中的任一种，可以使用它们的1种或2种以 上。特别是，优选使用平均长度优选为0.01-10(Vm，更优选为0.05-10pm,长径比优选为20-500，更优选为50-200的。上述亲水性层状硅酸盐的含量没有特别限定，可根据被粘附物适当 决定添加量以荻得耐热性。例如，在本专利技术的耐热性胶粘带中，相对于 IOO重量份胶粘剂，通常优选配合40重量份以下，更优选配合30重量份以下，由此可以表现出耐热性。如果比40重量份多，则担心使胶粘 剂的胶粘特性丧失。另外，在不到l重量份时，由于难以表现出耐热性， 因此优选为1重量份以上，更优选为IO重量份以上。因此，希望调整 添加量以满足目标剥离力。这里所本文档来自技高网...
【技术保护点】
半导体装置制造用耐热性胶粘带，可用于半导体装置的制造方法， 其中所述半导体装置的制造方法至少包含如下步骤：在金属制引线框的管芯焊盘上载置半导体芯片，其中所述金属制引线框中焊盘外侧与耐热性胶粘带粘附以在其上键合所述半导体芯片，用密封树脂将半导体芯片单侧密封，以及将密封的结构物切断成单个的半导体装置， 其中，上述耐热性胶粘带包含基材层和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。
【技术特征摘要】
JP 2006-11-24 2006-3175811.半导体装置制造用耐热性胶粘带，可用于半导体装置的制造方法，其中所述半导体装置的制造方法至少包含如下步骤在金属制引线框的管芯焊盘上载置半导体芯片，其中所述金属制引线框中焊盘外侧与耐热性胶粘带粘附以在其上键合所述半导体芯片，用密封树脂将半导体芯片单侧密封，以及将密封的结构物切断成单个的半导体装置，其中，上述耐热性胶粘带包含基材层和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。2. 权利要求1所述的耐热性胶粘带，其中，上述胶粘层中，相对 于100重量份胶粘剂，含有40重量份以下的亲水性层状硅酸盐。3. 权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：天野康弘，近藤广行，桶结卓司，寺田好夫，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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