一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板。在第二金属层上铺设整面ITO层，在第二金属层的漏极对应位置处的钝化层设置有贯穿的通孔，以使得像素电极层的像素电极通过所述通孔与所述ITO层电性连接，并且所述ITO层与所述第二金属层电性连接。即本发明专利技术在传统的PSVA像素中的像素电极下方增加一层ITO层，形成新型PSVA像素，由于ITO层是整面铺设，因此沟槽部分也能与上基板ITO形成电场，使液晶倾斜，贡献此部分的透过率。因此，本发明专利技术能有效提高穿透率，并且能优化性能。

Array substrate and manufacturing method thereof and liquid crystal display panel

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof and a liquid crystal display panel. The laying of the entire surface of the ITO layer on the second metal layer, a passivation layer on the second metal layer of the drain at the corresponding position is arranged on the through hole, so that the pixel electrode of the pixel electrode layer through the through hole and the electrically connected with the ITO layer and the ITO layer and the second metal layer electrical connection. The present invention is below the pixel electrode in PSVA pixels in the traditional add a ITO layer to form a new PSVA pixel, the ITO layer is the entire surface of the laying, so the groove portion can form electric field and on the substrate ITO, the liquid crystal tilt, through this part of the contribution rate. Therefore, the invention can effectively improve the penetration rate and optimize the performance.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板。
技术介绍
在现有技术中，对于阵列基板的像素电极层，因为在ITO(IndiumTinOxide，掺锡氧化铟)的狭缝区域没有ITO电极，该区域无法与正上方的ITO基板形成电场，只能靠相邻ITO电极的带动，使得液晶倾斜，因此穿透率低。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板，其能够有效提高穿透率。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下：本专利技术提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板表面上设置第一金属层，以形成栅电极层图案；在所述第一金属层上设置绝缘层；在所述绝缘层上设置有源层，以形成有源层图案；在所述有源层上设置第二金属层，以形成源漏极层图案；铺设整层ITO层，所述ITO层与所述第二金属层的漏极电性连接；在所述ITO层上设置钝化层，以形成钝化层图案；通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔；进行像素电极层的沉积形成像素电极图案，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板表面上设置第一金属层，以形成栅电极层图案；在所述第一金属层上设置绝缘层；在所述绝缘层上设置有源层，以形成有源层图案；在所述有源层上设置第二金属层，以形成源漏极层图案；铺设整层ITO层，所述ITO层与所述第二金属层的漏极电性连接；在所述ITO层上设置钝化层，以形成钝化层图案；通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔；进行像素电极层的沉积形成像素电极图案，以使得所述像素电极图案通过所述通孔与所述ITO层电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板表面上设置第一金属层，以形成栅电极层图案；在所述第一金属层上设置绝缘层；在所述绝缘层上设置有源层，以形成有源层图案；在所述有源层上设置第二金属层，以形成源漏极层图案；铺设整层ITO层，所述ITO层与所述第二金属层的漏极电性连接；在所述ITO层上设置钝化层，以形成钝化层图案；通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔；进行像素电极层的沉积形成像素电极图案，以使得所述像素电极图案通过所述通孔与所述ITO层电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述进行像素电极层的沉积形成像素电极图案的步骤，包括：溅射沉积所述像素电极层后，并接着利用黄光及蚀刻工艺形成所述像素电极图案，以使得相邻的像素电极图案间隔设置。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔的步骤，包括：蚀刻所述漏极对应位置处的所述钝化层，以形成所述通孔。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极层的像素电极图案共同形成鱼骨形状的四畴结构。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述ITO层的ITO电极为整面且连续不断的面状结构。6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：一基板；一第一金属层，所述第一金属层设置于所述基板表面上；所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极；一绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属层上；一有源层，所述有源层设置于所述绝缘层上；一第二金属层，所述第二金属层设置于所述有源层上；所述第二金属层包括薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓竹明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44