阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法。该阵列基板包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括：遮光层以及有源层，所述遮光层设置在所述基板上，所述有源层设置在所述遮光层远离所述基板的一侧，所述遮光层是由非晶硅形成的，所述阵列基板包括显示区，且包括阵列基板行驱动区以及多路复用区的至少之一，所述薄膜晶体管设置在所述显示区，且所述薄膜晶体管设置在所述阵列基板行驱动区以及所述多路复用区的至少之一中。由此，可以降低有源层在光照条件下产生光生漏电流，且不会产生电荷积累，进一步地可以使显示区、阵列基板行驱动区以及多路复用区的光生漏电流均得到有效控制，从而可以提高该阵列基板的性能。

Array substrate, display device and method for preparing array substrate

The invention discloses an array substrate, a display device and a method for preparing an array substrate. The array substrate includes: a substrate; a thin film transistor, the thin film transistor is arranged on a substrate, the thin film transistor includes: a light shielding layer and an active layer, a light shielding layer is arranged on the substrate, the active layer is disposed away from the substrate on the side of the light shielding layer, the shading the amorphous silicon layer is formed, the array substrate includes a display area, and includes at least one of the array substrate for driving and multiplexing area, the thin film transistor is provided in the display area, and at least one of the thin film transistor array substrate arranged in the driving region and the multiplex in the area. Thus, can reduce the active layer in the light conditions to produce light leakage current, and no further charge accumulation, can make the display area, the array substrate for driving and multiplexing area light leakage current were effectively controlled, which can improve the performance of the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法
本专利技术涉及电子领域，具体地，涉及阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法。
技术介绍
低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)由于具有较高的电子迁移率，近年来受到了广泛的关注。低温多晶硅技术是多晶硅技术的一个分支，其在元件小型化、提高面板开口率、提升画面品质与清晰度上具有显著的优势。与传统的非晶硅材料形成的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)相比，低温多晶硅材料在制备薄膜晶体管时可以具有更快的反应速度，从而有利于提高薄膜晶体管对于液晶分子的控制能力，并可以缩小薄膜电路的尺寸。因此，一方面可以使得形成的薄膜晶体管小型化，另一方面也可以降低薄膜电路的功耗。并且，较小的薄膜电路有利于提高液晶显示器的开口率，因此在背光模块输出功率不变的前提下，可以获得更好的显示亮度以及更好的色彩输出。然而，目前基于低温多晶硅的阵列基板、制备方法以及显示装置仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人对以下事实的发现和认识而作出的：目前，基于低温多晶硅的显示装置，普遍存在阵列基板上的薄膜晶体管的开关比不够理想、生产工艺较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括：遮光层以及有源层，所述遮光层设置在所述基板上，所述有源层设置在所述遮光层远离所述基板的一侧，所述遮光层是由非晶硅形成的，所述阵列基板包括显示区，且包括阵列基板行驱动区以及多路复用区的至少之一，所述薄膜晶体管设置在所述显示区，且所述薄膜晶体管设置在所述阵列基板行驱动区以及所述多路复用区的至少之一中。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括：遮光层以及有源层，所述遮光层设置在所述基板上，所述有源层设置在所述遮光层远离所述基板的一侧，所述遮光层是由非晶硅形成的，所述阵列基板包括显示区，且包括阵列基板行驱动区以及多路复用区的至少之一，所述薄膜晶体管设置在所述显示区，且所述薄膜晶体管设置在所述阵列基板行驱动区以及所述多路复用区的至少之一中。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层是由多晶硅形成的。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层覆盖所述遮光层的部分表面，所述遮光层未被所述有源层覆盖的表面的宽度为0.2-0.3微米。4.一种显示装置，其特征在于，包括：阵列基板，所述阵列基板是如权利要求1-3任一项所述的；彩膜基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。5.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，包括：在基板上设置薄膜晶体管，设置所述薄膜晶体管包括：在所述基板上设置遮光层，所述遮光层是由非晶硅形成的；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：付弋珊，樊君，李付强，史大为，王文涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11