一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，该非显示区域包括GOA区域，该GOA区域从下至上依次形成第一金属层、绝缘层、第二金属层和保护层；其中，第二金属层通过过孔与第一金属层连接，保护层覆盖第二金属层，用于保护GOA区域的电路免受腐蚀。本发明专利技术的阵列基板及其制作方法，第二金属层通过过孔与第一金属层直接连接，并在该第二金属层上形成保护层，避免了金属与框胶的直接接触，从而使得阵列基板上的GOA区域的电路免受腐蚀，提高面板的生产良率和使用性能。

Array substrate and manufacturing method thereof

The invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof, wherein the array substrate includes a display area and a non display area, the non display region includes a GOA region, the GOA region from the bottom sequentially forming a first metal layer, an insulating layer, a second metal layer and a protective layer; wherein, the second metal layer through the hole and the first metal layer connection, the protective layer covers the second metal layer, a protective circuit for GOA region from corrosion. Array substrate and manufacturing method of the invention, the second metal layer through the hole and the first metal layer is directly connected, and a protective layer formed on the second metal layer, to avoid the direct contact between the metal and the plastic frame, which makes the circuit of GOA area array on the substrate from corrosion, improve the production yield and use panel performance.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)的发展趋势势必为超窄边框、超低成本。为了实现这样的目的，已经有越来越多的面板厂引入了GOA(GatedriverOnArray，阵列基板行驱动)技术，即直接将闸极驱动电路制作在阵列基板上。但随着窄边框和高分辨率面板的发展，GOA区电路设计占用显示区两侧的面积越来越多，导致框胶可占用的面积不断缩减，最终不可避免的占到GOA区电路上。而GOA区电路由于信号的传递，会设计大量的过孔，对于面板下侧阵列基板而言，每一处过孔均有ITO处在最上层，用于连接不同层上的信号线，成盒后就会与框胶直接接触。而目前市面上的框胶材料，应用于面板后，在经过高温高湿的测试阶段，均会因吸水性或粘着性问题，导致框胶下GOA电路区的ITO出现腐蚀现象，最终造成面板出现显示异常等失效模式，影响面板的生产良率和使用性能。故，有必要提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。专利技术内容本专利技术的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括GOA区域，其特征在于，所述GOA区域从下至上依次形成第一金属层、绝缘层、第二金属层和保护层；其中，所述第二金属层通过过孔与所述第一金属层连接，所述保护层覆盖所述第二金属层，用于保护所述GOA区域的电路免受腐蚀。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括GOA区域，其特征在于，所述GOA区域从下至上依次形成第一金属层、绝缘层、第二金属层和保护层；其中，所述第二金属层通过过孔与所述第一金属层连接，所述保护层覆盖所述第二金属层，用于保护所述GOA区域的电路免受腐蚀。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层为栅极金属层，所述绝缘层为栅极绝缘层，所述第二金属层为源漏极金属层，所述保护层为钝化层。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，在所述绝缘层和所述第二金属层之间还形成有源层。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔贯穿所述绝缘层。5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层延伸至所述过孔，并与所述第一金属层连接。6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍玮娜，徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44