OLED显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED显示面板及其制作方法，通过在IGZO TFT的上方设置完全覆盖主动层的红色遮光色阻块，可以减小从IGZO TFT顶部射入的高能量的蓝光对IGZO的主动层的影响，从而防止产生光漏电流，保证IGZO TFT的特性，维持IGZO TFT的正常工作，同时由于覆盖主动层的红色遮光色阻块只阻挡对IGZO TFT的主动层有影响的高能量的短波蓝光，而其他波段的光还是可以正常透过，因此不会影响OLED显示面板发光区的开口率。

OLED display panel and manufacturing method thereof

The invention provides a OLED display panel and manufacturing method thereof, red shading color block by setting above the IGZO TFT complete coverage of the active layer, can decrease the effect of injection from IGZO TFT on top of the high energy light active layer of IGZO, so as to prevent light leakage current, ensure the characteristics of IGZO TFT the IGZO TFT, maintain normal work, at the same time as the red color shading block covers the active layer of IGZO TFT only block the active layer of high energy short wave light blue, while the other band can still be normal through, it will not affect the OLED aperture ratio of the display panel light emitting region.

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器等平面显示装置已成为显示装置中的主流。其中，有机发光二极管显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。OLED显示器按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示面板，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于衬底基板(10)上的遮光金属块(21)、设于所述遮光金属块(21)与衬底基板(10)上的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上且对应于所述遮光金属块(21)上方的主动层(41)、设于所述主动层(41)上的栅极绝缘层(42)、设于所述栅极绝缘层(42)上的栅极(43)、设于所述栅极(43)、主动层(41)与缓冲层(30)上的层间绝缘层(44)、设于所述层间绝缘层(44)上且对应于所述主动层(41)两侧上方的第一过孔(441)和第二过孔(442)、设于所述层间绝缘层(44)上且分别通过第一过孔(441)和第二过孔(442)与所述主动层(...

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于衬底基板(10)上的遮光金属块(21)、设于所述遮光金属块(21)与衬底基板(10)上的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上且对应于所述遮光金属块(21)上方的主动层(41)、设于所述主动层(41)上的栅极绝缘层(42)、设于所述栅极绝缘层(42)上的栅极(43)、设于所述栅极(43)、主动层(41)与缓冲层(30)上的层间绝缘层(44)、设于所述层间绝缘层(44)上且对应于所述主动层(41)两侧上方的第一过孔(441)和第二过孔(442)、设于所述层间绝缘层(44)上且分别通过第一过孔(441)和第二过孔(442)与所述主动层(41)两侧相接触的源极(45)与漏极(46)、设于源极(45)、漏极(46)与层间绝缘层(44)上的钝化层(51)、设于所述钝化层(51)上且完全覆盖所述主动层(41)的红色遮光色阻块(61)、设于所述红色遮光色阻块(61)与钝化层(51)上的平坦层(52)、设于所述钝化层(51)上且对应于所述漏极(46)上方的第三通孔(511)、设于所述平坦层(52)与钝化层(51)上且通过第三通孔(511)与所述漏极(46)相接触的第一电极(71)、设于所述第一电极(71)与钝化层(51)上的像素定义层(80)、设于像素定义层(80)上且对应于所述第一电极(71)上方的第四通孔(811)、以及由下至上设于所述第四通孔(811)内的OLED发光层(72)和第二电极(73)；所述第一电极(71)、OLED发光层(72)及第二电极(73)共同构成OLED器件(70)；所述主动层(41)的材料为铟镓锌氧化物。2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述红色遮光色阻块(61)在主动层(41)上方对应主动层(41)的边缘向外延伸2-5μm，从而完全覆盖主动层(41)。3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED器件(70)为底发射型OLED器件。4.如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，还包括与所述红色遮光色阻块(61)同层设置的且设于所述钝化层(51)上的彩色滤光层(62)；所述OLED器件(70)为发射白光的白光OLED器件。5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述栅极(43)、源极(45)及漏极(46)的材料分别包括钼、铝、铜、钛、铬中的一种或多种；所述缓冲层(30)、栅极绝缘层(42)、层间绝缘层(44)及钝化层(51)的材料分别包括氧化硅与氮化硅中的一种或多种；所述第一电极(71)的材料为透明导电金属氧化物。6.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积并图案化形成遮光金属块(21)，在所述遮光金属块(21)及衬底基板(10)上沉积缓冲层(30)，在所述缓冲层(30)上沉积并图案化形成对应于所述遮光金属块(21)上方的主动层(41)，在所述主动层(41)及缓冲层(30)上依次沉积无机材料膜及第一金属层，对所述无机材料膜及第一金属层进行图案化处理，由无机材料膜得到位于所述主动层(41)上的栅极绝缘层(42)，由第一金属层得到位于所述栅极绝缘层(42)上的栅极(43)，所述栅极绝缘层(42...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42