一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板中开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管包括有源层、平坦化栅绝缘层和栅极，有源层均设置于基底上，开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于驱动薄膜晶体管的有源层的厚度；开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管共用平坦化栅绝缘层，设置于有源层和裸露的基底上；开关薄膜晶体管的栅极和驱动薄膜晶体管的栅极设置于平坦化栅绝缘层上。本发明专利技术工艺简单，可以提高阵列基板的制作效率。

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

The present invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof, display device, the switch in the thin film transistor array substrate and driving thin film transistor includes an active layer, a gate insulating layer and a gate planarization, active layer disposed on the substrate, an active layer of thin film transistor switch is greater than the thickness of active layer thickness of the driving thin film transistor; switching thin film transistor and a driving thin film transistor common planarization gate insulating layer is disposed on the active layer and the substrate on the exposed gate switch; a thin film transistor and a driving thin film transistor gate is arranged on the flat gate insulation layer. The process of the invention is simple, and the manufacturing efficiency of the array substrate can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体地说，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，因而得到了广泛的应用。平面显示器件主要包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)及有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)显示器。OLED因为具备以下优异特性：①自发光、不需要背光源；②对比度高；③厚度薄；④视角广；⑤反应速度快；⑥可用于挠曲性面板；⑦使用温度范围广；⑧构造及制程简单，所以被视为下一代平面显示器的新型应用技术。有机发光二极管显示器按照驱动类型可分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PassiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，简称PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，简称AMOLED)。AMOLED具有反应速度快、对比度高、视角宽广等特点，其通常包括基板、形成于基板上的薄膜晶体管及形成于薄膜晶体管上的有机发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括呈阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括耦合连接的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管均包括有源层、平坦化栅绝缘层和栅极，其中，所述开关薄膜晶体管的有源层和所述驱动薄膜晶体管的有源层均设置于基底上，并且所述开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于所述驱动薄膜晶体管的有源层的厚度；所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管共用平坦化栅绝缘层，所述平坦化栅绝缘层设置于所述开关薄膜晶体管的有源层、所述驱动薄膜晶体管的有源层和裸露的基底上；所述开关薄膜晶体管的栅极对应其有源层设置于所述平坦化栅绝缘层上，所述驱动薄膜晶体管的栅极对应其有源层设置于所述平坦化栅...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括呈阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括耦合连接的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管均包括有源层、平坦化栅绝缘层和栅极，其中，所述开关薄膜晶体管的有源层和所述驱动薄膜晶体管的有源层均设置于基底上，并且所述开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于所述驱动薄膜晶体管的有源层的厚度；所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管共用平坦化栅绝缘层，所述平坦化栅绝缘层设置于所述开关薄膜晶体管的有源层、所述驱动薄膜晶体管的有源层和裸露的基底上；所述开关薄膜晶体管的栅极对应其有源层设置于所述平坦化栅绝缘层上，所述驱动薄膜晶体管的栅极对应其有源层设置于所述平坦化栅绝缘层上。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：缓冲层，其设置于所述基底上，其上设置有所述开关薄膜晶体管的有源层和所述驱动薄膜晶体管的有源层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：层间绝缘层，其设置于所述开关薄膜晶体管的栅极、所述驱动薄膜晶体管的栅极以及裸露的平坦化栅绝缘层上；开关薄膜晶体管的源极和漏极，其对应所述开关薄膜晶体管的有源层设置于层间绝缘层上，并通过对应的过孔与所述开关薄膜晶体管的有源层连接；驱动薄膜晶体管的源极和漏极，其对应所述驱动薄膜晶体管的有源层设置于层间绝缘层上，并通过对应的过孔与所述驱动薄膜晶体管的有源层连接。4.一种用于制作阵列基板的方法，包括：在基底上形成开关薄膜晶体管的有源层以及驱动薄膜晶体管的有源层，并使得所述开关薄膜晶体管的有源层的厚度大于所述驱动薄膜晶体管的有源层的厚度；在所述开关薄膜晶体管的有源层、所述驱动薄膜晶体管的有源层以及裸露的基底上形成平坦化栅绝缘层；在所述平坦化栅绝缘层上对应所述开关薄膜晶体管的有源层的位置形成开关薄膜晶体管的栅极，在所述平坦化栅绝缘层上对应所述驱动薄膜晶体管的有源层的位置形成驱动薄膜晶体管的栅极。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在基底上形成开关薄膜晶体管的有源层以及驱动薄膜晶体管的有源层进一步包括：在基底上沉积一层非晶硅，并进行处理以形成多晶硅层；在所述多晶硅层上涂敷一层光刻胶，经曝光显影处理以形成光刻胶掩膜图案，并使得所述光刻胶掩膜图案包括第一厚度的图案和第二厚度的图案，所述第一厚度大于所述第二厚度；以所述光刻胶掩膜图案为掩膜，刻蚀掉未被所述光刻胶掩膜图案覆盖的多...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢磊，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42