利于填充的通孔制作方法技术

本发明专利技术提供一种利于填充的通孔制作方法，在半导体器件表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；将第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；在第二通孔内填充抗反射材料；光刻出口径大于第二通孔的第三通孔；将第三通孔底部刻蚀至半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔，去除第四通孔内剩余的抗反射材料，形成第五通孔；继续刻蚀第五通孔。本发明专利技术提供的通孔制作方法将上部通孔关键尺寸做大进而形成较大敞口的通孔形貌，从而降低深宽比对后续工艺带来的负面影响，进而降低后续金属钨对通孔填充难度，增大了后续工艺窗口。

Method for making through hole suitable for filling

The present invention provides a method for making filling hole, stop layer, inner dielectric layer, anti reflection layer on the surface of a semiconductor device are sequentially deposited and etched, anti reflective layer, an inner dielectric layer and an etch stop layer is etched first through hole; the bottom of the first through hole etching to silicon dioxide layer. The formation of the second hole in the second through hole filling; anti reflective materials; lithography export size greater than second through holes third through holes; third through holes at the bottom of the silicon dioxide layer etching of semiconductor devices to form fourth through hole, the remaining fourth anti reflective material removal through hole formed fifth hole; to fifth etching hole. Via the invention provides a manufacturing method to upper part of the through hole and a through hole is formed and key size morphology larger open, so as to reduce the negative influence of aspect ratio on the follow-up process to bring, and then reduce the subsequent metal tungsten on the through hole filling difficulty, increase the follow-up process window.

【技术实现步骤摘要】
利于填充的通孔制作方法
本专利技术涉及半导体工艺领域，特别涉及一种利于填充的通孔制作方法。
技术介绍
随着CMOS器件发展到40nm及其以下节点，通孔(CT)的关键尺寸(CD)随着通孔间距尺寸的缩小也需要做相应的缩小。随之而来的是通孔刻蚀及填充的关键指标深宽比(ARratio)的进一步增大，进而对我们传统的刻蚀及填充工艺带来巨大的挑战。现有通孔刻蚀的具体实施步骤为：在CMOS器件01形成后利用通孔蚀刻停止层02(CESL，CTEtchStopLayer)，HARP(Highaspectratioprocess,高深宽比工艺)、TEOS(tetraethoxysilanc，四乙基原硅酸盐)等CVD(化学成膜)的方式形成内层介电层03(ILD，InterLayerDielectric)结构，如图1所示；表面平坦化后通过光刻工艺涂一层光刻胶04，并用制作通孔的光罩对其进行曝光显影，如图2所示；随后利用传统的刻蚀工艺方法形成所需要的通孔05，如图3所示，通孔05中用金属钨(W)06进行填充用以前段(FEOL,FrontEndOfLine)器件及后段(BEOL,BackEndOfLine)金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利于填充的通孔制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一个半导体器件，在其表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将所述抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；步骤二：对步骤一形成的结构进行刻蚀，将所述第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；步骤三：对步骤二形成的结构沉积抗反射材料，使得所述第二通孔内填充抗反射材料；步骤四：在步骤三形成结构上沉积第一光阻，并将第一光阻上原第二通孔对应之处显影出第三通孔，第三通孔的口径大于所述第二通孔的口径；步骤五：对所述步骤四形成的结构进行刻蚀，将第三通孔底部刻蚀至所述半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔，去除所述第四通孔...

【技术特征摘要】
1.一种利于填充的通孔制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一个半导体器件，在其表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将所述抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；步骤二：对步骤一形成的结构进行刻蚀，将所述第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；步骤三：对步骤二形成的结构沉积抗反射材料，使得所述第二通孔内填充抗反射材料；步骤四：在步骤三形成结构上沉积第一光阻，并将第一光阻上原第二通孔对应之处显影出第三通孔，第三通孔的口径大于所述第二通孔的口径；步骤五：对所述步骤四形成的结构进行刻蚀，将第三通孔底部刻蚀至所述半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔，去除所述第四通孔内剩余的所述抗反射材料，形成第五通孔；步骤六：继续刻蚀第五通孔。2.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤一中在所述抗反射层上形成第二光阻，通过曝光、显影、刻蚀形成第一通孔。3.如权利要求2所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤一中所述刻蚀为等离子刻蚀，刻蚀气体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙磊，黄君，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31