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本发明提供一种利于填充的通孔制作方法，在半导体器件表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；将第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；在第二通孔内填充抗反射材料；光刻出口径...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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