在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法技术

本发明专利技术涉及在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法，其所揭示的一种说明性方法此外还包括在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽具有第一横向关键尺寸，第二沟槽具有比第一沟槽的第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸，在第一沟槽中形成第一导电结构，其中，第一主体金属材料构成第一导电结构的主体部分，以及在第二沟槽中形成第二导电结构，其中，第二主体金属材料构成第二导电结构的主体部分，并且其中第一主体金属材料与第二主体金属材料为不同材料。

Method for forming a conductive structure with different material compositions in a metallized layer

The invention relates to a method for having a conductive structure of different material compositions are formed in the metal layer, an illustrative method also includes forming the first grooves and the second grooves on the insulating material layer in this, the first trench having a first transverse groove has second key dimensions, second horizontal key size larger than the first the size of the first horizontal key grooves, forming a first conductive structure, in which the first groove, the first body made of metal materials, the main part of the first conductive structure, and forming a second conductive structure, in which the second trench, second main metal materials constitute the main part of the second conductive structure, and wherein the first body and second body metal materials metal materials for different materials.

【技术实现步骤摘要】
在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法
本专利技术大体是关于半导体装置的制造，并且更具体地说，是关于在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的各种方法。
技术介绍
在诸如微处理器、储存装置及类似者等现代集成电路中，于有限芯片面积上提供并操作非常大量的电路组件，特别是晶体管。近数十年来，电路组件(如晶体管)在效能提升及实体尺寸(特征尺寸)缩减方面已有极大的进步。场效应晶体管(FET)有各种组态，例如：平面型晶体管装置、FinFET装置、纳米线装置等。FET无论是何种形式，都具有栅极电极、源极区、漏极区、以及置于源极与漏极区之间的沟道区。场效应晶体管的状态(“接通”或“断开”)由栅极电极控制。栅极电极一经施加适当的控制电压，沟道区变会导电，从而允许电流在源极与漏极区之间流动。为了在集成电路装置上提升FET的操作速度并增加FET的密度，数年来，装置设计人员已大幅缩减FET的实体大小，尤其是晶体管装置的沟道长度。由于晶体管装置的尺寸缩减，电路组件的操作速度已随着每一个新装置世代而提升，而此类产品中的“堆积密度”，即每单位面积的晶体管装置数目，也在同时间增加。此类晶体管装置效能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包含：在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，该第一沟槽具有第一横向关键尺寸，该第二沟槽具有比该第一沟槽的该第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸；在该第一沟槽中形成第一导电结构，其中，第一主体金属材料构成该第一导电结构的主体部分；以及在该第二沟槽中形成第二导电结构，其中，第二主体金属材料构成该第二导电结构的主体部分，并且其中，该第一主体金属材料与该第二主体金属材料为不同材料。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/062,3281.一种方法，其包含：在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，该第一沟槽具有第一横向关键尺寸，该第二沟槽具有比该第一沟槽的该第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸；在该第一沟槽中形成第一导电结构，其中，第一主体金属材料构成该第一导电结构的主体部分；以及在该第二沟槽中形成第二导电结构，其中，第二主体金属材料构成该第二导电结构的主体部分，并且其中，该第一主体金属材料与该第二主体金属材料为不同材料。2.如权利要求1所述的方法，其中，该第二主体金属材料为铜。3.如权利要求2所述的方法，其中，该第一主体金属材料为钴。4.如权利要求1所述的方法，其中，该第二横向关键尺寸比该第一横向关键尺寸大至少三倍。5.如权利要求1所述的方法，其中，在该第一沟槽中形成该第一导电结构包含：在该第一沟槽与该第二沟槽中形成第一阻障层；进行第一保形沉积程序以在该第一与第二沟槽中形成由该第一主体金属材料所构成的第一主体金属层，其中，该第一主体金属层过量填充该第一沟槽，但仅内衬该第二沟槽；以及进行至少一个蚀刻程序以移除部分该第一主体金属层，同时留下该第一主体金属层置于该第一沟槽中的其余部分。6.如权利要求5所述的方法，其中，进行该至少一个蚀刻程序以移除部分该第一主体金属层包含进行该至少一个蚀刻程序以将实质全部该第一主体金属层从该第二沟槽移除。7.如权利要求5所述的方法，其中，进行该至少一个蚀刻程序以移除部分该第一主体金属层包含进行该至少一个蚀刻程序以留下该第一主体金属层置于该第二沟槽的底端处的残余部分。8.如权利要求5所述的方法，其中，进行该至少一个蚀刻程序以移除部分该第一主体金属层包含进行该至少一个蚀刻程序，使得该第一主体金属层置于该第一沟槽中的该其余部分所具的上表面与该至少一个绝缘材料层的上表面及该第一主体金属层实质填充该第一沟槽的该其余部分实质平坦。9.如权利要求5所述的方法，其中，进行该至少一个蚀刻程序以移除部分该第一主体金属层包含进行该至少一个蚀刻程序，使得该第一主体金属层置于该第一沟槽中的该其余部分所具的已凹陷上表面所置的阶低于该至少一个绝缘材料层的上表面的阶，并且该第一主体金属层的该其余部分并未实质填充该第一沟槽。10.一种方法，其包含：在至少一个绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，该第一沟槽具有第一横向关键尺寸，该第二沟槽具有比该第一沟槽的该第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸；在该第一与第二沟槽中沉积第一主体金属层；进行至少一个第一程序操作以移除部分该第一主体金属层，同时留下该第一主体金属层置于该第一沟槽内的其余部分；在该第一主体金属层的该其余部分上面并在该第二沟槽内沉积第二主体金属层，以便以该第二主体金属层过量填充该第二沟槽，其中，该第一主体金属层与该第二主体金属层包含不同材料；以及进行至少一个第二程序操作以移除置于该至少一个绝缘材料层的上表面上面的材料，以界定置于该第一沟槽中的窄导电结构、及位在该第二沟槽中的宽导电结构。11.如权利要求10所述的方法，其中，在沉积该第一主体金属层前，该方法包含在该第一与第二沟槽两者中沉积第一阻障层。12.如权利要求11所述的方法，其中，在沉积该第二主体金属层前，该方法包含在该第二沟槽内的该第一导电阻障层上沉积第二导电阻障层。13.如权利要求12所述的方法，其中，该窄导电结构包含该第一主体金属层及该第一阻障层，而该宽导电结构包含该第一阻障层、该第二阻障层及该第二主体金属层。14.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洵渊，谢瑞龙，夫马尔·卡米尼，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY