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本发明涉及在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法，其所揭示的一种说明性方法此外还包括在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽具有第一横向关键尺寸，第二沟槽具有比第一沟槽的第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸，在第一沟槽中...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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