从下往上的电解导通镀覆方法技术

本文公开了一种从下往上的电解导通镀覆方法，其中第一载体基材(100)和具有至少一个通孔(120)的第二基材(110)被临时结合在一起。所述方法包括在第一基材的表面上施涂种子层(108)；在所述种子层或所述第二基材上形成表面改性层(114)；用所述表面改性层将所述第二基材与所述第一基材结合以形成组件，其中所述种子层和所述表面改性层被设置在所述第一基材和所述第二基材之间；将导电材料(122)施涂到所述通孔；从所述组件中除去具有包含导电材料的通孔的所述第二基材。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】从下往上的电解导通镀覆方法相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§119，要求2014年11月5日提交的美国临时申请系列第62/075326号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。技术背景
本公开涉及将导电材料施涂到通孔的方法。技术背景中介层(interposer)可用于在硅微芯片和有机基材之间布置电信号路线，可用于在间距密集的芯片与下方间距较宽的层之间展开电连接，或者可用于在二维或三维包装结构中连接多个硅芯片。中介层需要通过中介层的厚度进行导电。这可利用导电通孔来实现。使用电解镀覆，可用导电层填充通孔。然而，作为该方法的第一步，其要求镀覆中介层基材的所有表面，即通孔壁和垂直于通孔壁的基材的平坦表面。作为第二步，继续进行镀覆方法直至通孔被填满。然后需要从基材的平坦表面除去“过载”层。这可能是一个耗时且昂贵的方法。因此，需要一种将导电材料施涂到通孔而不会导致过载层出现的方法。
技术实现思路
在本文公开的一些实施方式中，用于产生导电通孔的方法可包括获得第一基材，所述第一基材具有一个表面；获得第二基材，所述第二基材具有第一表面、第二表面和从所述第一表面延伸至所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种产生导电通孔的方法，所述方法包括：获得第一基材，所述第一基材具有一个表面；获得第二基材，所述第二基材具有第一表面、第二表面和从所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔；将种子层施涂到第一基材的表面上；在所述种子层或所述第二基材上形成表面改性层；用所述表面改性层将所述第二基材与所述第一基材结合以形成组件，其中所述种子层和所述表面改性层被设置在所述第一基材和所述第二基材之间；将导电材料施涂到所述通孔；以及在将所述导电材料施涂到所述通孔后，从所述组件中除去所述第二基材。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.05 US 62/075,3261.一种产生导电通孔的方法，所述方法包括：获得第一基材，所述第一基材具有一个表面；获得第二基材，所述第二基材具有第一表面、第二表面和从所述第一表面延伸至所述第二表面的通孔；将种子层施涂到第一基材的表面上；在所述种子层或所述第二基材上形成表面改性层；用所述表面改性层将所述第二基材与所述第一基材结合以形成组件，其中所述种子层和所述表面改性层被设置在所述第一基材和所述第二基材之间；将导电材料施涂到所述通孔；以及在将所述导电材料施涂到所述通孔后，从所述组件中除去所述第二基材。2.如权利要求1所述的方法，其还包括在施涂所述种子层之前先将粘合层施涂到所述第一基材的表面上，以使得所述粘合层被设置在所述第一基材和所述种子层之间。3.如权利要求2所述的方法，其中所述粘合层为Cr、Ti、Mo、Ni、NiCr、Hf、Zr、Nd、Ta、V或W中的一种。4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其中所述种子层为选自以下的导电材料：铜、银、钨、氮化钛、钛钨、氮化钽和铜合金。5.如权利要求1或4所述的方法，其中将所述种子层直接施涂到所述第一基材的表面。6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其中所述表面改性层在所述种子层和所述第二基材之间提供临时结合。7.如权利要求1-6任一项所述的方法，其还包括除去延伸穿过所述通孔的一个开口的表面改性层的一部分以暴露所述种子层。8.如权利要求7所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·A·贝尔曼，J·T·基奇，E·A·库克森科瓦，S·C·波拉德，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US