基于线路移位的金属线布局制造技术

本发明专利技术涉及基于线路移位的金属线布局，其提供一种对半导体装置进行后段制程(BEOL)处理的方法，包括就该半导体装置的金属化层的金属线提供布局，判定所提供布局中的半隔离金属线，以及移位该受判定的半隔离金属线的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
基于线路移位的金属线布局
基本上，本专利技术是关于集成电路领域，并且尤指后段制程(BEOL)处理方面金属线的形成。
技术介绍
诸如CPU、储存装置、ASIC(特定应用集成电路)及类似的先进集成电路在制作时，需要根据已指定的电路布局(layout)，在给定芯片面积上形成大量电路组件。在各式各样的电子电路中，场效应晶体管代表一种重要类型的电路组件，其实质决定此等集成电路的效能。大体上，目前经实践用于形成场效应晶体管(FET)的制程技术有复数种，其中，就许多类型的复杂电路系统而言，金属氧化物半导体(MOS)技术鉴于运作速度及/或功率消耗及/或成本效益，由于特性优越，是目前最有前途的方法其中一者。于使用例如互补式MOS(CMOS)技术制作复杂集成电路期间，举例来说，数百万个N通道晶体管及/或P通道晶体管是在包括结晶半导体层的衬底上形成。此半导体制造程序典型为包括两个主要成份，即包括在半导体衬底上形成半导体装置(晶体管等)的多层程序在内的前段制程(FEOL)、以及包括已形成半导体装置后进行金属化在内的后段制程(BEOL)。半导体装置适当的电连接通过多个金属化层来完成。各金属化层由就电气完整性在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包含：就半导体装置的金属化层的金属线提供布局；将该布局中的金属线识别为半隔离金属线；以及移位该布局内该经识别的半隔离金属线的至少一部分。

【技术特征摘要】
2016.02.17 US 15/045,4661.一种方法，其包含：就半导体装置的金属化层的金属线提供布局；将该布局中的金属线识别为半隔离金属线；以及移位该布局内该经识别的半隔离金属线的至少一部分。2.如权利要求1所述的方法，其更包含增大该经识别的半隔离金属线的该经移位的至少一部分的宽度及长度其中至少一者。3.如权利要求1所述的方法，其中，该经识别的半隔离金属线邻接于另一金属线，并且其中，该经识别的半隔离金属线的该至少一部分离该邻接的金属线的距离通过该移位来增大。4.如权利要求3所述的方法，其中，就该邻接的金属线重复以下步骤：将该布局中的该金属线识别为半隔离金属线、以及移位该经识别的半隔离金属线的至少一部分。5.如权利要求1所述的方法，其中，该经识别的半隔离金属线以一预定距离来移位，该预定距离该经识别的半隔离金属线的宽度的1/4、1/2及1倍其中一者。6.如权利要求1所述的方法，其中，当该布局中该金属线的至少一部分离邻接的金属线的距离为至少一预定值时，将该布局中的金属线识别为半隔离金属线。7.如权利要求6所述的方法，其中，该预定值该布局中该金属线的宽度的2、3或4倍其中一者。8.如权利要求1所述的方法，其更包含自图案目录读取图案，并且其中，基于该读取的图案来进行该经识别的半隔离金属线的该至少一部分的该移位。9.如权利要求1所述的方法，其中，基于设计规则来进行该经识别的半隔离金属线的该至少一部分的该移位。10.一种就半导体装置的金属化层的金属线产生布局的方法，该方法包含：提供包含多条金属线的第一布局；识别该第一布局中该多条金属线里的半隔离金属线；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·梅尔德，M·U·勒尔，T·赫尔曼，J·哈斯曼，M·A·迈耶，R·K·坤查，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY