半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法技术

本发明专利技术涉及微电子、半导体制造方法技术领域，具体而言，涉及一种半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法。所述半导体芯片包括:基底、基于所述基底制作的器件、贯穿所述基底的通孔、填充于所述通孔并与所述器件接触的导电材料以及制作于所述基底与所述器件相对一侧的背面金属层，所述背面金属层与所述导电材料接触以通过所述导电材料与所述器件电性连接。本发明专利技术提供的半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法减小了器件的接地电阻，并改善了有通孔结构的器件在工作状态下的散热问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法
本专利技术涉及微电子、半导体制造方法
，具体而言，涉及一种半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法。
技术介绍
氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率高、击穿场强高、耐高温等显著优点，与第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓相比，更适合于制作高温、高压、高频和大功率的电子器件，具有广阔的应用前景，已成为目前半导体行业研究的热点。氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用AlGaN/GaN异质结处的二维电子气形成的一种氮化镓器件，可以应用于高频、高压和大功率的领域。在进行氮化镓器件的封装工艺时，为了提高器件增益，减小接地电阻，通常采用通孔结构。这种结构一般是通过刻蚀的方式从衬底背面引入通孔(衬底背面接地)，该通孔贯穿衬底和氮化物半导体外延层，直至源极，然后用金属填充通孔，将源极和接地的衬底背面相连，以减少源极到地的电感。目前氮化镓器件的通孔的位置分布主要有两种形式，一种形式是将通孔开设在金属PAD区域。该通孔的位置分布方式将通孔放在源极金属PAD区域，位于有源区的同侧。虽然降低了通孔对器件散热的影响。然而导致有源区电流整体流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片，其特征在于，包括:基底；基于所述基底制作的器件；贯穿所述基底的通孔；填充于所述通孔并与所述器件接触的导电材料；制作于所述基底与所述器件相对一侧的背面金属层，所述背面金属层与所述导电材料接触以通过所述导电材料与所述器件电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括:基底；基于所述基底制作的器件；贯穿所述基底的通孔；填充于所述通孔并与所述器件接触的导电材料；制作于所述基底与所述器件相对一侧的背面金属层，所述背面金属层与所述导电材料接触以通过所述导电材料与所述器件电性连接。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述导电材料的厚度为所述通孔的深度的50％～98％之间。3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述背面金属层包括背金金属层和种子金属层，所述种子金属层位于所述基底远离所述器件的一侧并覆盖所述通孔，所述背金金属层位于所述种子金属层远离所述基底的一侧并覆盖所述种子金属层。4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述背金金属层的厚度在2μm到10μm之间。5.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体芯片，其特征在于，所述器件包括源极、栅极和漏极，所述导电材料与所述源极接触。6.一种半导体晶圆，其特征在于，包括：基底；基于所述基底制作的多个器件；贯穿所述基底的多个通孔；填充于所述通孔并与所述器件接触的导电材料；制作于所述基底与所述器件相对一侧的背面金属层，所述背面金属层与所述导电材料接触以通过所述导电材料与所述器件电性连接。7.根据权利要求6所述的半导体晶圆，其特征在于，所述导电材料的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乃千，潘盼，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32