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本发明涉及微电子、半导体制造方法技术领域，具体而言，涉及一种半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法。所述半导体芯片包括:基底、基于所述基底制作的器件、贯穿所述基底的通孔、填充于所述通孔并与所述器件接触的导电材料以及制作于所述基底与所述...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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