互连结构的形成方法技术

一种互连结构的形成方法，包括：提供基底和位于基底上的介质层；在所述介质层中形成第一开口；在所述第一开口中和所述介质层的表面形成第一导电层；在所述第一导电层的表面形成合金层；在所述合金层的表面形成第二导电层；形成第二导电层后，进行退火处理。所述方法能够提高所述互连结构的电学性能。

Method for forming interconnection structure

A method includes: providing a substrate and interconnect structure in dielectric layer on a substrate; a first opening is formed in the dielectric layer; in the first opening and the first conductive layer is formed on the surface of the dielectric layer; forming alloy layer on the surface of the first conductive layer; a second conductive layer is formed in the the surface of the alloy layer; forming a second conductive layer after annealing treatment. The method can improve the electrical performance of the interconnect structure.

【技术实现步骤摘要】
互连结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种互连结构的形成方法。
技术介绍
半导体制造过程中产生的电迁移现象主要是指在电场的作用下导电离子运动造成元件或电路失效的现象。具体的，集成电路芯片内部采用金属互连线来传导工作电流，这种传导电流的金属在较高的电流密度作用下，沿电场反方向运动的电子将会与金属离子进行动量交换，结果使金属离子与电子流一样朝正极方向移动，相应所产生的金属离子空位向负极方向移动，这样就造成了互连线内金属净的质量传输，这种现象就是电迁移，进而导致金属线的某些部位出现空洞从而发生断路，而另外一些部位由于有晶须生长或出现小丘造成电路短路。目前，普遍采用铜合金种子层的方法来改善电迁移现象，具体的，在籽晶层中掺杂改性元素，通过退火使得所述改性元素扩散至位于籽晶层表面的铜导电层中，用于改善导电层中顶部区域的电迁移特性。这种方法的优点在于：制作工艺简单，无需增加额外的工艺步骤。但是带来的缺点在于：在籽晶层中存留较多的改性元素，且所述改性元素在铜导电层中再分配，导致互连结构的电阻增加，从而导致现有技术形成的互连结构的电学性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底和位于基底上的介质层；在所述介质层中形成第一开口；在所述第一开口中和所述介质层的表面形成第一导电层；在所述第一导电层的表面形成合金层；在所述合金层的表面形成第二导电层；形成第二导电层后，进行退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底和位于基底上的介质层；在所述介质层中形成第一开口；在所述第一开口中和所述介质层的表面形成第一导电层；在所述第一导电层的表面形成合金层；在所述合金层的表面形成第二导电层；形成第二导电层后，进行退火处理。2.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述合金层与所述介质层顶部表面之间的距离为30nm～100nm。3.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述合金层的材料为铜合金。4.根据权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述铜合金中的改性元素为锰、铝或银。5.根据权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述铜合金中的改性元素的原子百分比浓度为0.5％～1.5％。6.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述合金层的厚度为3nm～10nm。7.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，形成所述合金层的工艺为物理气相沉积工艺。8.根据权利要求1所述的互连结...

【专利技术属性】
技术研发人员：何，杨小军，徐建华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31