半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/漏极特征；以一第一原子层沉积(ALD)工艺沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽；以及沉积一钴层于接触沟槽中的TiN层之上。

Method for forming semiconductor device

The invention provides a method for forming a semiconductor device, includes: forming a source / drain to a substrate; a dielectric layer is formed on the source / drain characteristics; forming a contact trench through the dielectric layer to expose the source / drain characteristics; a first atomic layer deposition (ALD) process for depositing a titanium nitride (TiN) layer on the contact trench; and a TiN layer deposited cobalt layer on the contact trench.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本公开涉及半导体装置的形成方法，且特别涉及一种接触金属的形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已历经快速发展的阶段。集成电路设计及材料在技术上的进步使得每一代生产的集成电路变得比先前生产的集成电路更小且其电路也变得更复杂。在集成电路发展的进程中，功能性密度(例如：每一个芯片区域中内连线装置的数目)已经普遍增加，而几何尺寸(例如：工艺中所能创造出最小的元件或线路)则是普遍下降。这种微缩化的过程通常可通过增加生产效率及降低相关支出提供许多利益，但此种微缩化也增加了集成电路加工和制造上的复杂度。为了实现这样的进展，集成电路加工和制造上也需要有相同的进步。其中一个领域就是位于晶体管和其他装置之间的布线(wiring)或内连线。虽然现存的集成电路装置的制造方法一般已能满足其预期目的，但是并非在各方面都完全令人满意。例如，期望对FinFET装置中接触金属的形成工艺进行改良。
技术实现思路
根据一实施例，本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/漏极特征；以一第一原子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于该源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过该介电层以曝露该源极/漏极特征；以一第一原子层沉积(ALD)工艺沉积一氮化钛(TiN)层于该接触沟槽中；以及沉积一钴层于该接触沟槽中的该TiN层之上。

【技术特征摘要】
2016.03.08 US 15/063,9051.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于该源...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊贤，李弘贸，陈昱恺，杨弦龙，林威戎，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71