半导体封装件的制造方法及半导体封装件技术

本发明专利技术提供一种能够提高生产率并制造高质量的半导体封装件的半导体封装件的制造方法。该半导体封装件的制造方法包括如下步骤：在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的第一绝缘树脂层；以及在所述多个半导体装置之间的区域中，从所述第一面一侧实施切削加工，形成贯通所述第一绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，而在所述第二面一侧形成第二槽部，由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。

Method for manufacturing semiconductor package and semiconductor package

The invention provides a method for manufacturing a semiconductor package capable of improving productivity and manufacturing high quality semiconductor packages. A method for manufacturing a semiconductor package comprises the following steps: vibration isolation bays arranging a plurality of semiconductor device on a supporting substrate on the first surface side; each wiring formed with the plurality of semiconductor devices are connected, and the formation of the plurality of semiconductor device buried the first insulating resin layer; and the area in between the plurality of semiconductor devices, from the side of the side of the implementation of machining, formed through the first insulating resin layer and the first groove of the supporting substrate exposed, as well as in the first and second opposite side is formed on the surface of the blocking agent pattern has an opening in the corresponding the first slot position, from one side of the second opening of the implementation of the etching process, the second slot formed on one side of the second surface and thus, for each of the semiconductor sealing The assembly is monolithic.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件的制造方法及半导体封装件
本专利技术涉及一种半导体封装件的制造方法。尤其是，涉及具有金属基板的半导体封装件的制造方法。
技术介绍
以往，已知在移动电话或智能电话等的电子设备中，在支承基板上装载IC芯片等的半导体装置的半导体封装件结构(例如专利文献1)。通常，这种半导体封装件采用如下的结构：在支承基板上经由粘结层来接合IC芯片或存储器等的半导体装置，并利用密封体(密封用树脂材料)覆盖所述半导体装置，来保护半导体装置。作为半导体封装件所用的支承基板，使用印刷基板、陶瓷基板等的各种基板。尤其是近年来，对利用金属基板的半导体封装件的开发持续推进。在金属基板上装载半导体装置并利用再布线而扇出(fan-out)的半导体封装件具有优异的电磁屏蔽性或热特性的优点，作为具有高可靠性的半导体封装件备受瞩目。另外，这种半导体封装件还具有在封装设计方面自由度高的优点。另外，在作为在支承基板上装载半导体装置的结构的情况下，通过在大型的支承基板上装载多个半导体装置，能够利用同一工序制造多个半导体封装件。在这种情况下，在支承基板上形成的多个半导体封装件在制造工序结束之后被单片化，而完成各个半导体封装件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的绝缘树脂层；以及在所述多个半导体装置之间的区域中，从所述第一面一侧实施切削加工，形成贯通所述绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，并从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，在所述第二面一侧形成第二槽部，由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。

【技术特征摘要】
2016.03.07 JP 2016-435191.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在支承基板的第一面一侧隔开间隔地配置多个半导体装置；形成与所述多个半导体装置的各个相连接的布线，并形成将所述多个半导体装置掩埋的绝缘树脂层；以及在所述多个半导体装置之间的区域中，从所述第一面一侧实施切削加工，形成贯通所述绝缘树脂层并使所述支承基板露出的第一槽部，以及在与所述第一面相反一侧的第二面上形成在与所述第一槽部相对应的位置具有开口部的阻挡剂图案，并从所述第二面一侧对所述开口部实施蚀刻加工，在所述第二面一侧形成第二槽部，由此针对各个所述半导体封装件进行单片化。2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述蚀刻加工为湿法蚀刻加工。3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述切削加工为利用划片刀切削所述绝缘树脂层及所述支承基板。4.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，利用所述划片刀切削的步骤包括：在蚀刻所述第二面之后，在所述支承基板的所述第二面一侧设置支承部件；以及同时切削所述绝缘树脂层及所述支承基板的一部分。5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，所述支承部件为划片带或划片夹具之中的任一种。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢田贵弘，吉光克司，
申请(专利权)人：株式会社吉帝伟士，
类型：发明
国别省市：日本,JP