一种模拟缓冲器制造技术

本发明专利技术提供了一种模拟缓冲器，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；第一晶体管的基极连接输入，集电极连接输出，发射极连接第二晶体管的基极和第一电阻的一端；第一电阻的另一端接电源；第二晶体管的集电极接电源，发射极接输出；第三电阻一端接输入，另一端接输出；第三晶体管的基极接输入，集电极接输出，发射极接第二电阻的一端和第四晶体管的基极；第二电阻的另一端接地；第四晶体管的集电极接地，发射极接输出。本发明专利技术的模拟缓冲器，有两条路径对输入和输出电压的关系进行控制。实现了输出电压对输入电压的完全跟随，结构简单，响应速度快。

Analog buffer

The invention provides an analog buffer, belonging to the technical field of semiconductor integrated circuits. The circuit includes a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a first resistor, a second resistor and the third resistor; the base of the first transistor is connected to the input and output end of the emitter and collector is connected with the second connection, the base of the transistor and the first resistor; the other end is connected with the power supply of the first resistor; the collector electrode of the second transistor connected to the power supply. The emitter is connected with the output end is connected with the input resistance; third, the other end is connected with the output; base of the third transistor is connected with the input, the collector is connected with the output end of the base, with second emission resistance and fourth transistors; the other end is connected with second resistors; fourth transistor collector, emitter is connected with the output. The analog buffer of the present invention has two paths to control the relation between the input and the output voltage. The output voltage is completely followed by the input voltage. The structure is simple and the response speed is fast.

【技术实现步骤摘要】
一种模拟缓冲器
本专利技术属于半导体集成电路
领域，具体涉及一种模拟缓冲器。
技术介绍
模拟缓冲器电路即电压跟随器，是实现输出电压跟随输入电压变化的一类电子元件。也就是说电压跟随器的电压放大倍数接近1。在电路中，模拟缓存器一般作缓冲级或隔离级。因为电压放大器的输出阻抗一般比较高，通常在几千欧姆到几十欧姆。如果后级的输入阻抗比较小，那么信号就会有相当的部分损耗在前级的输出电阻中。这时就需要电压跟随器进行缓冲，起到承上启下的作用。传统的模拟缓冲器电路，用运算放大器以负反馈方式连接，构成单位增益放大器，用于驱动负载，从而保证输出信号不受负载的影响。但是由运放构成的模拟缓冲器，结构复杂，大大增加了系统的成本。
技术实现思路
为解决现有模拟缓冲器结构复杂、成本高的技术问题，本专利技术提供了一种结构简单的模拟缓冲器。本专利技术的模拟缓冲器包括：第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。第一晶体管Q1的基极连接输入Uin，集电极连接输出Uout，发射极连接第二晶体管Q2的基极和第一电阻R1的一端；第一电阻R1的另一端接电源；第二晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种模拟缓冲器，其特征在于，包括：第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；第一晶体管Q1的基极连接输入Uin，集电极连接输出Uout，发射极连接第二晶体管Q2的基极和第一电阻R1的一端；第一电阻R1的另一端接电源；第二晶体管Q2的集电极接电源，发射极接输出Uout；第三电阻R3一端接输入Uin，另一端接输出Uout；第三晶体管Q3的基极接输入Uin，集电极接输出Uout，发射极接第二电阻R2的一端和第四晶体管Q4的基极；第二电阻R2的另一端接地；第四晶体管Q4的集电极接地，发射极接输出Uout。

【技术特征摘要】
1.一种模拟缓冲器，其特征在于，包括：第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；第一晶体管Q1的基极连接输入Uin，集电极连接输出Uout，发射极连接第二晶体管Q2的基极和第一电阻R1的一端；第一电阻R1的另一端接电源；...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长沙方星腾电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43