非易失性存储装置及非易失性存储装置的控制方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性存储装置及非易失性存储装置的控制方法
本专利技术涉及将可变电阻元件用作非易失性存储元件的非易失性存储装置以及非易失性存储装置的控制方法。
技术介绍
对于非易失性存储器，电阻式随机存储器(ResistiveRandomAccessMemory，ReRAM)、导电桥接随机存储器(ConductionBridgeRandomAccessMemory，CBRAM)、相变随机存储器(Phase-ChangeRandomAccessMemory，PCRAM)、磁阻式随机存储器(MagnetoresistiveRandomAccessMemory，MRAM)和自旋转移矩随机存取存储(SpinTransferTorqueRandomAccessMemory，STTRAM)等是已知的。ReRAM将借助电阻状态的变化来存储数据的可变电阻元件用作非易失性存储元件(例如，参考专利文献1和2)。另外，对于使用前述非易失性存储器的存储单元的构造，例如，1R(1个电阻器)型和1D1R(1个二极管和1个电阻器)型的存储单元是已知的。在多条位线与多条字线的交叉部处布置有这种存储单元的交叉点...
【技术保护点】
一种非易失性存储装置，其包括：存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；写入电路，其将所述可变电阻元件从所述第一电阻状态改变成所述第二电阻状态，并由此将数据写入在所述存储单元上；以及电流控制器，其对在执行所述数据的写入时由所述写入电路在所述第一配线或所述第二配线中引起的流动的电流进行控制，并由此将在所述第一配线或所述第二配线中流动的电流限制成预定限制电流值，其中，所述电流控制器在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之前的时段内将所述预定限制电流值设定成第一限制电流值，并在所述可变电...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.06 JP 2014-2259241.一种非易失性存储装置，其包括：存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；写入电路，其将所述可变电阻元件从所述第一电阻状态改变成所述第二电阻状态，并由此将数据写入在所述存储单元上；以及电流控制器，其对在执行所述数据的写入时由所述写入电路在所述第一配线或所述第二配线中引起的流动的电流进行控制，并由此将在所述第一配线或所述第二配线中流动的电流限制成预定限制电流值，其中，所述电流控制器在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之前的时段内将所述预定限制电流值设定成第一限制电流值，并在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之后将所述预定限制电流值从所述第一限制电流值改变成第二限制电流值。2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一限制电流值低于所述第二限制电流值。3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述电流控制器在从所述写入电路开始所述数据的写入的操作起经过预定时段之后将所述预定限制电流值改变成所述第二限制电流值。4.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述电流控制器检测用于将所述可变电阻元件改变成所述第二电阻状态所需的电流是否流经所述第一配线或所述第二配线，并根据检测结果将所述预定限制电流值改变成所述第二限制电流值。5.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一电阻状态是高电阻状态，且所述第二电阻状态是低电阻状态。6.一种非易失性存储装置，其包括：存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；写入电路，其将所述可变电阻元件从所述第二电阻状态改变成所述第一电阻状态，并由此擦除所述存储单元中存储的数据；以及电压控制器，其对在执行所述数据的擦除时由所述写入电路施加至所述第二配线的电压进行控制，并由此将被施加至所述第二配线的电压限制成预定限制电压值，其中，所述电压控制器在所述可变电阻元件被改变成所述第一电阻状态之前的时段内将所述预定限制电压值设定成第一限制电压值，并在所述可变电阻元件被改变成所述第一电阻状态之后将所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：森阳太郎，北川真，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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