具有分布式替换字线的存储器制造技术

存储器包括散布在多条字线之间的多条替换字线。存储器还包括字线控制电路，该字线控制电路被配置为基于多条字线中的字线的位置向不同的字线施加不同的电压，并且用替换字线替换多条字线中的有缺陷字线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有分布式替换字线的存储器对相关申请的交叉引用本申请请求2014年9月30日提交的美国优先权专利申请US14/502077的权益，将其全部内容通过引用合并于此。
本文中所述的技术涉及用于存储数据的存储器，并且尤其涉及包括可以以与基于地址的电压补偿技术兼容的方式来替换一条或多条有缺陷字线的替换字线。
技术介绍
用于存储数据的存储器通常具有以行和列布置的存储器单元阵列。字线沿着行延伸并且位线沿着列延伸，以连接到存储器单元。存在各种类型的存储器技术，包括各种类型的易失性存储器和非易失性存储器。
技术实现思路
一些实施例涉及一种存储器，所述存储器包括多个存储器单元、连接到所述多个存储器单元的多条位线、连接到所述多个存储器单元的多条字线以及散布在所述多条字线当中的多条替换字线。存储器还包括字线控制电路，该字线控制电路被配置为基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压。字线控制电路被配置为在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间向各条字线施加不同的电压。存储器单元连接到各条字线。字线控制电路被配置为用所述多条替换字线中的替换字线替换所述多条字线中的有缺陷字线。一些实施例涉及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，包括：多个存储器单元；多条位线，连接到所述多个存储器单元；多条字线，连接到所述多个存储器单元；多条替换字线，散布在所述多条字线之间；以及字线控制电路，被配置为基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压，所述字线控制电路被配置为在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间，向各条字线施加不同的电压，存储器单元连接到各条字线，其中字线控制电路被配置为用所述多条替换字线中的替换字线来替换所述多条字线中的有缺陷字线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 US 14/502,0771.一种存储器，包括：多个存储器单元；多条位线，连接到所述多个存储器单元；多条字线，连接到所述多个存储器单元；多条替换字线，散布在所述多条字线之间；以及字线控制电路，被配置为基于所述多条字线中的各条字线的位置向各条字线施加不同的电压，所述字线控制电路被配置为在对所述多个存储器单元中的存储器单元执行的操作期间，向各条字线施加不同的电压，存储器单元连接到各条字线，其中字线控制电路被配置为用所述多条替换字线中的替换字线来替换所述多条字线中的有缺陷字线。2.如权利要求1所述的存储器，其中字线控制电路被配置为在操作期间，基于替换字线的位置替换有缺陷字线而不补偿施加到替换字线的电压。3.如权利要求2所述的存储器，其中字线控制电路被配置为在操作期间向替换字线施加的电压与字线控制电路被配置为在操作期间向有缺陷字线施加的电压相同。4.如权利要求1所述的存储器，其中操作是向所述多个存储器单元中的存储器单元写入数据的操作。5.如权利要求4所述的存储器，其中写入数据的操作包括在第一方向上向存储器单元施加电流的置位操作或者在第二方向上向存储器单元施加电流的复位操作。6.如权利要求1所述的存储器，其中所述多条字线包括第一组字线、第二组字线和第三组字线，所述多条替换字线包括在第一组字线和第二组字线之间的至少一条第一替换字线，以及在第二组字线和第三组字线之间的至少一条第二替换字线，字线控制电路被配置为用所述至少一条第一替换字线中的第一替换字线替换第一组或第二组中的有缺陷字线，以及字线控制电路被配置为用所述至少一条第二替换字线中的第二替换字线替换第二组或第三组中的有缺陷字线。7.如权利要求6所述的存储器，其中所述至少一条第一替换字线包括至少两条替换字线。8.如权利要求1所述的存储器，其中所述多个存储器单元中的单个存储器单元包括晶体管和存储器元件。9.如权利要求8所述的存储器，其中字线控制电路被配置为通过改变存储器元件的电阻向存储器元件施加电流，以存储比特值。10.如权利要求8所述的存储器，其中晶体管具有连接到所述多条字线中的字线的控制端子，并且晶体管具有连接到所述多条位线中的位线的第二端子。11.如权利要求10所述的存储器，其中晶体管具有连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：北川真，Y·卢瑟拉，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP