电子装置制造方法及图纸

一种电子装置。半导体存储器包括：多个字线；以及多个列，包括与所述多个字线相对应的多个阻变储存单元，所述多个列被分成多个页，每个页具有一个或多个列；存储电路，耦接到半导体存储器，以感测储存在阻变储存单元的数据；以及存储控制电路，耦接到半导体存储器和存储电路以控制存储电路对储存的数据的感测，方式为，在读取操作中，通过在所述多个页之中的选中的页被激活的时段中连续地激活‑预充电所述多个字线之中的一个或多个字线，来感测选中的页中所包括的阻变储存单元的数据。

Electronic device

An electronic device. The semiconductor memory includes a plurality of word lines; and a plurality of columns, including a plurality of resistance corresponding to the plurality of word lines of the variable storage unit, wherein a plurality of columns is divided into a plurality of pages, each page has one or more columns; storage circuit coupled to the semiconductor memory, to sense stored resistive storage unit data; and storage control circuit coupled to the semiconductor memory and storage circuit to control storage circuit data storage of the sensor, as in a read operation, continuous activation of one or a plurality of word lines precharge the plurality of word lines are activated through the multiple pages of the selected page in the period of time, which includes sensing a selected page in the resistive data storage unit.

【技术实现步骤摘要】
电子装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月15日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2016-0017012的优先权，其全部内容通过引用整体合并于此。
本公开涉及存储电路或器件及其在电子装置或系统中的应用。
技术介绍
近来，随着电子装置朝着微型化、低功耗、高性能、多功能等方向发展，本领域需要能在诸如计算机、便携式通信装置等各种电子装置中储存信息的半导体器件，且已经对这样的半导体器件开展了研发。这种半导体器件包括能利用根据施加的电压或电流在不同的电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如，RRAM(阻变随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁随机存取存储器)、电子熔丝等。
技术实现思路
在本公开中公开的技术包括一种电子装置，该电子装置通过扩展页的范围来保证高速页操作的效率。所公开的技术包括一种电子装置，该电子装置通过减少读出放大器的预充电操作以及通过减少伴随着读出放大器的预充电操作的噪声，可以进行高速操作。在一个实施例中，一种电子装置可以包括：半导体存储器，所述半导体存储器可以包括多个字线以及多个列，所述多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，包括：半导体存储器，所述半导体存储器包括多个字线以及多个列，所述多个列包括与所述多个字线相对应的多个阻变储存单元，所述多个列分成多个页，每个页具有一个或多个列；存储电路，所述存储电路耦接到所述半导体存储器，以感测储存在所述多个阻变储存单元中的数据；以及存储控制电路，所述存储控制电路耦接到所述半导体存储器和所述存储电路，以控制所述存储电路对所储存的数据的感测，方式为，在读取操作中，通过在所述多个页中的被选中的页被激活的时段中对在所述多个字线中的一个或多个字线连续地激活‑预充电，来感测在所述被选中的页中所包括的多个阻变储存单元的数据。

【技术特征摘要】
2016.02.15 KR 10-2016-00170121.一种电子装置，包括：半导体存储器，所述半导体存储器包括多个字线以及多个列，所述多个列包括与所述多个字线相对应的多个阻变储存单元，所述多个列分成多个页，每个页具有一个或多个列；存储电路，所述存储电路耦接到所述半导体存储器，以感测储存在所述多个阻变储存单元中的数据；以及存储控制电路，所述存储控制电路耦接到所述半导体存储器和所述存储电路，以控制所述存储电路对所储存的数据的感测，方式为，在读取操作中，通过在所述多个页中的被选中的页被激活的时段中对在所述多个字线中的一个或多个字线连续地激活-预充电，来感测在所述被选中的页中所包括的多个阻变储存单元的数据。2.根据权利要求1所述的电子装置，还包括多个读出放大器，所述多个读出放大器对应于所述多个页之中的一个页，并感测在所述多个列之中的对应的一个或多个列中所包括的阻变储存单元的数据。3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述被选中的页被激活的时段是所述多个读出放大器之中的与所述被选中的页相对应的一个或多个读出放大器被激活的时段。4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，在所述被激活的时段，所述读出放大器感测在与所述对应的一个或多个列之中的选中的列和在所述多个字线之中的被激活的字线相对应的阻变储存单元的数据。5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当两个或两个以上个读取操作持续地执行且在所述两个或两个以上个读取操作中选中相同的页时，从所述两个或两个以上个读取操作中的第一个读取操作开始直到所述两个或两个以上个读取操作中的最后一个读取操作结束，被选中的页被保持为激活状态。6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当之前的读取操作中的被选中的页与当前的读取操作中的被选中的页不同时，之前的读取操作中的选中的页被去激活，且当前的读取操作中的被选中的页被激活。7.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述多个读出放大器通过将流入所述阻变储存单元的电流与参考电流进行比较，来感测所述阻变储存单元的数据。8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述阻变储存单元包括：选择元件，所述选择元件耦接到相对应的字线；以及可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻值根据储存在所述阻变储存单元中的数据来确定。9.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述可变电阻元件包括任何一种金属氧化物材料且包括具有在两个磁性层之间插入隧道势垒的结构。10.根据权利要求1所述的电子装置，还包括处理器，其中，所述处理器包括：核心单元，所述核心单元适用于利用根据从所述处理器的外部输入的命令的数据来执行与所述命令相对应的操作；高速缓存存储器单元，所述高速缓存存储器单元适用于储存要操作的数据、与操作结果相对应的数据或者要操作的数据的地址；以及总线接口，所述总线接口耦接在所述核心单元与所述高速缓存存储器单元之间，并在所述核心单元与所述高速缓存存储器单元之间传递数据，其中所述半导体存储器是所述处理器中的所述高速缓存存储器单元的一部分。11.根据权利要求1所述的电子装置，还包括数据储存系统，其中，所述数据储存系统包括：储存器件，所述储存器件适用于储存数据且不论电力供应是否存在也能保持所储存的数据；控制器，所述控制器适用于根据从外部输入的命令来控制所述储存器件的数据输入/输出；临时储存器件，所述临时储存器件适用于临时地储存在所述储存器件与外部之间交换的数据；以及接口，所述接口适用于执行在所述储存器件、所述控制器和所述临时储存器件中...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢光明，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR