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本发明的非易失性存储装置包括：存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；写入电路，其将可变电阻元件从第一电阻状态改变成第二电阻状态，并由此将数据写入在存储...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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